一种多晶硅TFT基板的制作方法及多晶硅TFT基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711258888.9

申请日：

2017-12-04

公开(公告)号：

CN108198754B

公开(公告)日：

2018-06-22

发明(设计)人：

刘丹

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786 H01L2910

代理机构：

深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238

代理人：

潘中毅;熊贤卿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20171204
2018-06-22	公开	公开
2021-01-29	授权	授权

共 50 条

[1]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN105702622B ,2016-06-22

[2]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

张占东 ;

汤富雄 .

中国专利 :CN105514035A ,2016-04-20

[3]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN105097666A ,2015-11-25

[4]

低温多晶硅TFT基板结构的制作方法及低温多晶硅TFT基板结构 [P].

张良芬 .

中国专利 :CN105097667A ,2015-11-25

[5]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

虞晓江 .

中国专利 :CN105679772B ,2016-06-15

[6]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN104599959A ,2015-05-06

[7]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN104600028A ,2015-05-06

[8]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[9]

低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT [P].

胡道兵 .

中国专利 :CN113611752A ,2021-11-05

[10]

低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT [P].

胡道兵 .

中国专利 :CN113611752B ,2024-01-16

← 1 2 3 4 5 →