MPW芯片背面金属化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510402167.5

申请日：

2015-07-09

公开(公告)号：

CN105097501A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

李云海李宗亚

申请人：

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区惠河路5号208信箱

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

殷红梅;张涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-31	授权	授权
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638509719 IPC(主分类):H01L 21/3205 专利申请号:2015104021675 申请日:20150709
2015-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种芯片背面金属化夹具及芯片背面金属化方法 [P].

任晓宇 ;

郝沄 ;

吴思诚 ;

袁海 ;

耿振海 ;

王明琼 ;

谭晓惠 ;

杨乐 .

中国专利 :CN113066755A ,2021-07-02

[2]

一种芯片背面金属化夹具 [P].

陈爱军 ;

俞斌 .

中国专利 :CN215731644U ,2022-02-01

[3]

硅器件芯片背面银系溅射金属化 [P].

张利春 ;

赵忠礼 ;

高玉芝 ;

宁宝俊 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1052750A ,1991-07-03

[4]

晶圆背面金属化的方法 [P].

陈伯昌 .

中国专利 :CN113972132A ,2022-01-25

[5]

IGBT背面金属化的改善方法 [P].

马彪 .

中国专利 :CN104576347B ,2015-04-29

[6]

晶圆背面金属化的方法 [P].

张伟 ;

闫晓多 ;

麻冰欣 ;

刘杰 ;

欧阳东 .

中国专利 :CN103811293A ,2014-05-21

[7]

背面金属化共晶工艺方法 [P].

吴耀辉 .

中国专利 :CN104299922A ,2015-01-21

[8]

集成电路背面金属化 [P].

佐田宏幸 ;

入口将一 ;

矢野元气 ;

L·T·阮 ;

A·普拉布 ;

A·波达尔 ;

鄢艺 ;

H·阮 .

中国专利 :CN111354627A ,2020-06-30

[9]

一种晶圆背面金属化的方法及晶圆背面金属化结构 [P].

杨浩辉 ;

易文杰 ;

吕文利 ;

谢于柳 ;

石褔荣 .

中国专利 :CN114864396A ,2022-08-05

[10]

单晶粒减薄背面金属化方法 [P].

黄平 ;

鲍利华 ;

顾海颖 .

中国专利 :CN111211081B ,2020-05-29

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