用于沉积有机半导体的混合溶剂体系

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980129502.1

申请日：

2009-05-29

公开(公告)号：

CN102106012B

公开(公告)日：

2011-06-22

发明(设计)人：

罗伯特·S·克拉夫大卫·H·瑞丁格尔詹姆斯·C·诺瓦克

申请人：

申请人地址：

美国明尼苏达州

IPC主分类号：

H01L5140

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

张爽;樊卫民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-29	授权	授权
2011-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101094135494 IPC(主分类):H01L 51/40 专利申请号:2009801295021 申请日:20090529
2011-06-22	公开	公开
2019-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 申请日:20090529 授权公告日:20130529 终止日期:20180529

共 50 条

[1]

有机半导体的溶剂混合物 [P].

海因里希·贝克尔 ;

苏珊·霍伊恩 .

中国专利 :CN101243559A ,2008-08-13

[2]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[3]

用于正性光刻胶的混合溶剂体系 [P].

J·N·艾尔贝克 ;

A·D·迪奥赛斯 .

中国专利 :CN1323410A ,2001-11-21

[4]

作为有机半导体的醌型体系 [P].

U·比伦斯 ;

A·斯塔森 ;

B·施米达尔特 ;

W·卡尔布 ;

F·比恩瓦尔德 .

中国专利 :CN101421862B ,2009-04-29

[5]

有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P].

半那纯一 ;

岛川彻平 ;

赤田正典 ;

前田博己 .

中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17

[6]

在有机半导体器件内偏心沉积有机半导体 [P].

斯科特·M·施诺布利希 ;

罗伯特·S·克拉夫 ;

丹尼斯·E·沃格尔 ;

迈克尔·E·格里芬 .

中国专利 :CN102217109A ,2011-10-12

[7]

带有有机半导体材料的半导体器件 [P].

Ａ·Ｒ·布朗 ;

Ｄ·Ｍ·迪卢 ;

Ｅ·Ｊ·卢斯 ;

Ｅ·Ｅ·哈文加 .

中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04

[8]

用于制备光敏有机电子器件的溶剂体系 [P].

G·博沃 ;

N·雅可比-格罗斯 .

中国专利 :CN109891614A ,2019-06-14

[9]

用于制备光敏有机电子器件的溶剂体系 [P].

G·博沃 ;

N·雅各比-格罗斯 .

日本专利 :CN110462864B ,2024-03-15

[10]

用于制备光敏有机电子器件的溶剂体系 [P].

G·博沃 ;

N·雅各比-格罗斯 .

中国专利 :CN110462864A ,2019-11-15

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