在有机半导体器件内偏心沉积有机半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980145708.3

申请日：

2009-11-03

公开(公告)号：

CN102217109A

公开(公告)日：

2011-10-12

发明(设计)人：

斯科特·M·施诺布利希罗伯特·S·克拉夫丹尼斯·E·沃格尔迈克尔·E·格里芬

申请人：

申请人地址：

美国明尼苏达州

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

张爽;樊卫民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101143710760 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:2009801457083 申请日:20091103
2011-10-12	公开	公开
2015-01-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101709599714 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:2009801457083 申请公布日:20111012

共 50 条

[1]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[2]

一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用 [P].

顾成 ;

张泽健 ;

柳力群 ;

邓剑 .

中国专利 :CN114744112B ,2025-08-15

[3]

一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用 [P].

顾成 ;

张泽健 ;

柳力群 ;

邓剑 .

中国专利 :CN114744112A ,2022-07-12

[4]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[5]

有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P].

半那纯一 ;

岛川彻平 ;

赤田正典 ;

前田博己 .

中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17

[6]

有机半导体器件 [P].

史蒂文·M·谢伊弗斯 ;

丹尼尔·R·加莫塔 ;

小保罗·W·布拉齐斯 ;

张婕 ;

劳伦斯·E·拉克 .

中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11

[7]

有机半导体器件 [P].

永山健一 .

中国专利 :CN1476111A ,2004-02-18

[8]

有机半导体器件 [P].

永山健一 ;

中村健二 .

中国专利 :CN1495931A ,2004-05-12

[9]

有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江贵裕 ;

川岛纪之 ;

高桥保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24

[10]

带有有机半导体材料的半导体器件 [P].

Ａ·Ｒ·布朗 ;

Ｄ·Ｍ·迪卢 ;

Ｅ·Ｊ·卢斯 ;

Ｅ·Ｅ·哈文加 .

中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04

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