有机半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03146488.2

申请日：

2003-07-16

公开(公告)号：

CN1476111A

公开(公告)日：

2004-02-18

发明(设计)人：

永山健一

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L5120

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2004-02-18	公开	公开
2004-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

有机半导体器件 [P].

永山健一 ;

中村健二 .

中国专利 :CN1495931A ,2004-05-12

[2]

有机半导体器件 [P].

史蒂文·M·谢伊弗斯 ;

丹尼尔·R·加莫塔 ;

小保罗·W·布拉齐斯 ;

张婕 ;

劳伦斯·E·拉克 .

中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11

[3]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[4]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[5]

有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P].

半那纯一 ;

岛川彻平 ;

赤田正典 ;

前田博己 .

中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17

[6]

有机半导体材料和半导体器件 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 .

中国专利 :CN101335331A ,2008-12-31

[7]

在有机半导体器件内偏心沉积有机半导体 [P].

斯科特·M·施诺布利希 ;

罗伯特·S·克拉夫 ;

丹尼斯·E·沃格尔 ;

迈克尔·E·格里芬 .

中国专利 :CN102217109A ,2011-10-12

[8]

带有有机半导体材料的半导体器件 [P].

Ａ·Ｒ·布朗 ;

Ｄ·Ｍ·迪卢 ;

Ｅ·Ｊ·卢斯 ;

Ｅ·Ｅ·哈文加 .

中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04

[9]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28

[10]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20

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