一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用

被引：0

申请号：

CN202210263363.9

申请日：

2022-03-17

公开(公告)号：

CN114744112A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

顾成张泽健柳力群邓剑

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

齐键

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/00 申请日:20220317
2022-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用 [P].

顾成 ;

张泽健 ;

柳力群 ;

邓剑 .

中国专利 :CN114744112B ,2025-08-15

[2]

在有机半导体器件内偏心沉积有机半导体 [P].

斯科特·M·施诺布利希 ;

罗伯特·S·克拉夫 ;

丹尼斯·E·沃格尔 ;

迈克尔·E·格里芬 .

中国专利 :CN102217109A ,2011-10-12

[3]

有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用 [P].

孟鸿 ;

张小涛 ;

苑晓 .

中国专利 :CN103247759A ,2013-08-14

[4]

带有有机半导体材料的半导体器件 [P].

Ａ·Ｒ·布朗 ;

Ｄ·Ｍ·迪卢 ;

Ｅ·Ｊ·卢斯 ;

Ｅ·Ｅ·哈文加 .

中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04

[5]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28

[6]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20

[7]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[8]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[9]

有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P].

半那纯一 ;

岛川彻平 ;

赤田正典 ;

前田博己 .

中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17

[10]

有机半导体器件 [P].

史蒂文·M·谢伊弗斯 ;

丹尼尔·R·加莫塔 ;

小保罗·W·布拉齐斯 ;

张婕 ;

劳伦斯·E·拉克 .

中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11

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