有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310179683.7

申请日：

2013-05-15

公开(公告)号：

CN103247759A

公开(公告)日：

2013-08-14

发明(设计)人：

孟鸿张小涛苑晓

申请人：

申请人地址：

100872 北京市海淀区中关村大街甲59号文化大厦1207E室

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

C07D49504

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅;王春霞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	授权	授权
2013-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101517153366 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2013101796837 申请日:20130515
2020-06-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 51/00 登记生效日:20200520 变更事项:专利权人变更前权利人:北京博如德工程技术研究有限公司变更后权利人:深圳市乐普泰科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100872 北京市海淀区中关村大街甲59号文化大厦1207E室变更后权利人:518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙飞大道333号启迪协信5栋A座1812
2021-10-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 51/00 变更事项:专利权人变更前:深圳市乐普泰科技股份有限公司变更后:深圳陆祥科技股份有限公司变更事项:地址变更前:518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙飞大道333号启迪协信5栋A座1812 变更后:518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙飞大道333号启迪协信5栋A座1812
2013-08-14	公开	公开

共 50 条

[1]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[2]

有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江贵裕 ;

川岛纪之 ;

高桥保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24

[3]

有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 [P].

半那纯一 ;

岛川彻平 ;

赤田正典 ;

前田博己 .

中国专利 :CN100526389C ,2005-08-17

[4]

有机半导体材料和半导体器件 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 .

中国专利 :CN101335331A ,2008-12-31

[5]

带有有机半导体材料的半导体器件 [P].

Ａ·Ｒ·布朗 ;

Ｄ·Ｍ·迪卢 ;

Ｅ·Ｊ·卢斯 ;

Ｅ·Ｅ·哈文加 .

中国专利 :CN1106696C ,1996-09-04

[6]

一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用 [P].

顾成 ;

张泽健 ;

柳力群 ;

邓剑 .

中国专利 :CN114744112B ,2025-08-15

[7]

一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用 [P].

顾成 ;

张泽健 ;

柳力群 ;

邓剑 .

中国专利 :CN114744112A ,2022-07-12

[8]

在有机半导体器件内偏心沉积有机半导体 [P].

斯科特·M·施诺布利希 ;

罗伯特·S·克拉夫 ;

丹尼斯·E·沃格尔 ;

迈克尔·E·格里芬 .

中国专利 :CN102217109A ,2011-10-12

[9]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[10]

有机半导体器件 [P].

史蒂文·M·谢伊弗斯 ;

丹尼尔·R·加莫塔 ;

小保罗·W·布拉齐斯 ;

张婕 ;

劳伦斯·E·拉克 .

中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11

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