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一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310048397.7
申请日：
2013-02-07
公开(公告)号：
CN103985666A
公开(公告)日：
2014-08-13
发明(设计)人：
李广宁
沈哲敏
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L2128
代理机构：
上海光华专利事务所 31219
代理人：
余明伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-09-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586825648 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013100483977 申请日:20130207 |
| 2017-12-08 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20140813 |
| 2014-08-13 | 公开 | 公开 |