一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310195118.X

申请日：

2013-05-23

公开(公告)号：

CN103280463A

公开(公告)日：

2013-09-04

发明(设计)人：

张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生

申请人：

申请人地址：

100044 北京市海淀区西直门外上园村3号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2910 H01L2924 H01L21336

代理机构：

北京市商泰律师事务所 11255

代理人：

李鸿华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	授权	授权
2013-10-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101527530430 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201310195118X 申请日:20130523
2013-09-04	公开	公开

共 50 条

[1]

锌铟锡氧化物基薄膜晶体管及其制作方法 [P].

李然 ;

张希清 ;

苏金宝 ;

戴仕千 ;

麻尧斌 ;

田龙杰 ;

王琪 ;

王晔 .

中国专利 :CN108258055A ,2018-07-06

[2]

一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张希清 ;

李彬 ;

王海龙 ;

周东站 ;

彭云飞 ;

高耸 ;

衣立新 ;

王永生 .

中国专利 :CN103258859A ,2013-08-21

[3]

一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法 [P].

韩德栋 ;

王漪 ;

张盛东 ;

孙雷 ;

张韬 ;

任奕成 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN102403360A ,2012-04-04

[4]

一种氧化锌/氧化镍透明薄膜晶体管及制备方法 [P].

蔡杰 .

中国专利 :CN112909096A ,2021-06-04

[5]

氧化锌基薄膜晶体管及芯片制备工艺 [P].

吴惠桢 ;

余萍 ;

梁军 ;

徐天宁 .

中国专利 :CN1862834A ,2006-11-15

[6]

薄膜晶体管及用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶 [P].

朴在佑 ;

李伦圭 ;

金度贤 ;

金东朝 ;

朴柱玉 ;

孙仁成 ;

尹相元 ;

李建孝 ;

李镕晋 ;

全祐奭 .

中国专利 :CN103531638A ,2014-01-22

[7]

双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法 [P].

王玥 ;

王东兴 ;

王长昊 ;

梅金硕 ;

田晓华 ;

刘倩 ;

贺训军 .

中国专利 :CN102779855A ,2012-11-14

[8]

柔性氧化锌镁薄膜晶体管及其制造方法 [P].

秦国轩 ;

刘家立 .

中国专利 :CN110931567A ,2020-03-27

[9]

一种高介电常数柔性氧化锌薄膜晶体管及制作方法 [P].

秦国轩 ;

刘家立 .

中国专利 :CN111081874A ,2020-04-28

[10]

非晶氧化锌薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金昌桢 ;

宋利宪 ;

姜东勋 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN101060139A ,2007-10-24

← 1 2 3 4 5 →