半导体装置封装和其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710325468.1

申请日：

2017-05-10

公开(公告)号：

CN107946256A

公开(公告)日：

2018-04-20

发明(设计)人：

黄俊钦叶勇谊许哲铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23528 H01L2150 H01L2160

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

萧辅宽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	公开	公开
2018-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20170510
2019-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置和其形成方法 [P].

杉冈繁 ;

山口秀范 ;

川北惠三 ;

徐邦宁 .

中国专利 :CN113809081A ,2021-12-17

[2]

半导体装置和其形成方法 [P].

杉冈繁 ;

山口秀范 ;

川北惠三 ;

徐邦宁 .

美国专利 :CN113809081B ,2025-04-29

[3]

半导体封装和其形成方法 [P].

张任远 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114783957A ,2022-07-22

[4]

半导体装置和其形成方法 [P].

李佑祖 ;

陈彦儒 ;

蒋光浩 .

中国专利 :CN118173583A ,2024-06-11

[5]

半导体装置和其形成方法 [P].

唐瀚楀 ;

张宏台 ;

游明华 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN114551578A ,2022-05-27

[6]

半导体装置和其形成方法 [P].

龚耀雄 ;

赖朝文 .

中国专利 :CN114975354B ,2025-12-12

[7]

半导体装置和其形成方法 [P].

吴雲骥 ;

杨宗谕 ;

徐丞伯 ;

刘建宏 .

中国专利 :CN111128885B ,2020-05-08

[8]

半导体装置结构和其形成方法 [P].

陈信吉 ;

黄薰瑩 ;

李智铭 ;

吴尚彦 ;

杨智安 ;

何弘伟 ;

张朝钦 ;

黄琮伟 .

中国专利 :CN113327905A ,2021-08-31

[9]

半导体装置结构和其形成方法 [P].

陈信吉 ;

黄薰瑩 ;

李智铭 ;

吴尚彦 ;

杨智安 ;

何弘伟 ;

张朝钦 ;

黄琮伟 .

中国专利 :CN113327905B ,2025-04-25

[10]

半导体装置结构和其形成方法 [P].

潘冠廷 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

詹易叡 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113658954A ,2021-11-16

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