半导体封装和其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210114011.7

申请日：

2022-01-30

公开(公告)号：

CN114783957A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

张任远赖佳平

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23538 H01L2706 H01L2156

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装及其形成方法 [P].

蔡宜霖 ;

刘乃玮 ;

许文松 .

中国专利 :CN114497025A ,2022-05-13

[2]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许健 ;

艾迪·凯佑·维嘉雅 ;

普佳·瑞凡卓·戴许曼 ;

莫尼卡·巴提 .

中国专利 :CN110828320B ,2020-02-21

[3]

半导体装置封装和其形成方法 [P].

黄俊钦 ;

叶勇谊 ;

许哲铭 .

中国专利 :CN107946256A ,2018-04-20

[4]

半导体封装、封装形成方法和供电模块 [P].

梁琳 ;

陈峤 ;

邱俊杰 ;

梁一鸣 .

中国专利 :CN118213336A ,2024-06-18

[5]

衬底结构和其形成方法以及半导体封装结构 [P].

许武州 ;

陈敏尧 .

中国专利 :CN113809059A ,2021-12-17

[6]

半导体晶粒堆叠及其形成方法、和半导体封装 [P].

张任远 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114792636A ,2022-07-26

[7]

半导体封装和形成半导体封装的方法 [P].

E·菲尔古特 ;

R·奥特伦巴 ;

I·埃舍尔-珀佩尔 ;

M·格鲁贝尔 .

中国专利 :CN111952272A ,2020-11-17

[8]

形成半导体封装的方法和半导体封装 [P].

张超发 ;

郑家锋 ;

J·奥克伦布尔格 .

中国专利 :CN109637998A ,2019-04-16

[9]

半导体封装和形成半导体封装的方法 [P].

陈文荣 ;

李育富 ;

甘振昌 .

中国专利 :CN103579015A ,2014-02-12

[10]

半导体封装及其形成方法 [P].

张家纶 ;

谢静华 ;

蔡仲豪 ;

刘重希 ;

王垂堂 ;

林修任 .

中国专利 :CN113053835A ,2021-06-29

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