衬底结构和其形成方法以及半导体封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110648531.1

申请日：

2021-06-10

公开(公告)号：

CN113809059A

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

许武州陈敏尧

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓区经三路26号

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L23498 H01L2148 H01L2150 H01L2331

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蕭輔寬

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装结构、半导体封装结构的形成方法以及半导体组装结构的形成方法 [P].

邹贤儒 ;

吴志伟 ;

王卜 ;

施应庆 ;

卢思维 ;

林俊成 .

中国专利 :CN109585368B ,2019-04-05

[2]

半导体衬底、半导体封装结构和其制造方法 [P].

姜裕求 ;

金政勋 ;

林星默 .

中国专利 :CN105720016A ,2016-06-29

[3]

衬底结构、封装方法和半导体封装结构 [P].

杨昌易 .

中国专利 :CN107958877A ,2018-04-24

[4]

衬底结构和半导体封装结构 [P].

陈馨恩 ;

胡逸群 ;

洪志斌 .

中国专利 :CN112216660A ,2021-01-12

[5]

衬底结构、包含衬底结构的半导体封装和其制造方法 [P].

施佑霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN109326574A ,2019-02-12

[6]

半导体封装结构和半导体衬底 [P].

丁兆明 ;

周仁宏 ;

林宜弘 .

中国专利 :CN113345850A ,2021-09-03

[7]

半导体芯片、半导体封装结构以及其形成方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103377995A ,2013-10-30

[8]

半导体封装和其形成方法 [P].

张任远 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114783957A ,2022-07-22

[9]

衬底结构、包含衬底结构的半导体封装结构，以及制造半导体封装结构的半导体工艺 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN109712941A ,2019-05-03

[10]

衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110277366A ,2019-09-24

← 1 2 3 4 5 →