衬底结构、包含衬底结构的半导体封装和其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711085518.X

申请日：

2017-11-07

公开(公告)号：

CN109326574A

公开(公告)日：

2019-02-12

发明(设计)人：

施佑霖李志成

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号

IPC主分类号：

H01L23492

IPC分类号：

H01L23495 H01L2331 H01L2148

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蕭輔寬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-12	公开	公开
2020-09-11	授权	授权
2019-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/492 申请日:20171107

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体封装结构和其制造方法 [P].

姜裕求 ;

金政勋 ;

林星默 .

中国专利 :CN105720016A ,2016-06-29

[2]

衬底结构、包含衬底结构的半导体封装结构，以及制造半导体封装结构的半导体工艺 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN109712941A ,2019-05-03

[3]

半导体衬底和包含半导体衬底的封装结构 [P].

陈政廷 ;

林弘毅 ;

孔政渊 .

中国专利 :CN118900109A ,2024-11-05

[4]

衬底、包含衬底的半导体封装及其制造方法 [P].

蔡丽娟 ;

李志成 ;

何政霖 .

中国专利 :CN107546186A ,2018-01-05

[5]

衬底结构和半导体封装结构 [P].

陈馨恩 ;

胡逸群 ;

洪志斌 .

中国专利 :CN112216660A ,2021-01-12

[6]

衬底、半导体封装结构和制造工艺 [P].

李志成 ;

苏洹漳 .

中国专利 :CN108269777A ,2018-07-10

[7]

衬底结构、封装方法和半导体封装结构 [P].

杨昌易 .

中国专利 :CN107958877A ,2018-04-24

[8]

衬底结构及包含其半导体结构的制造方法 [P].

林永丰 ;

周政道 .

中国专利 :CN111863590A ,2020-10-30

[9]

半导体封装结构和半导体衬底 [P].

丁兆明 ;

周仁宏 ;

林宜弘 .

中国专利 :CN113345850A ,2021-09-03

[10]

衬底结构、半导体封装结构及其制造方法 [P].

李育颖 .

中国专利 :CN108461406B ,2018-08-28

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