衬底结构及包含其半导体结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910333765.X

申请日：

2019-04-24

公开(公告)号：

CN111863590A

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

林永丰周政道

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2906 H01L2920

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

孙乳笋;王涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	公开	公开
2020-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190424

共 50 条

[1]

衬底结构、包含衬底结构的半导体封装和其制造方法 [P].

施佑霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN109326574A ,2019-02-12

[2]

衬底结构、包含衬底结构的半导体封装结构，以及制造半导体封装结构的半导体工艺 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN109712941A ,2019-05-03

[3]

半导体结构制造方法和其制造的半导体结构 [P].

何忠祥 ;

A·K·斯坦珀 ;

陆宁 .

中国专利 :CN100568500C ,2008-03-12

[4]

衬底结构、半导体结构及其制造方法 [P].

张仪贤 ;

吴咨亨 ;

郑创仁 ;

林诗玮 ;

杜荣国 .

中国专利 :CN105800543B ,2016-07-27

[5]

衬底结构、半导体结构及其制造方法 [P].

洪蔡豪 ;

郭仕奇 ;

李宗宪 ;

刘陶承 .

中国专利 :CN106629570A ,2017-05-10

[6]

衬底结构、半导体结构及衬底结构的制备方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN119400760A ,2025-02-07

[7]

半导体结构及制造其的方法 [P].

宋福庭 ;

闵仲强 ;

曾元泰 ;

徐晨佑 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN107068856B ,2017-08-18

[8]

半导体衬底、半导体封装结构和其制造方法 [P].

姜裕求 ;

金政勋 ;

林星默 .

中国专利 :CN105720016A ,2016-06-29

[9]

半导体衬底的形成方法、半导体衬底及半导体结构 [P].

王滔 ;

曹亮 ;

张昱 ;

李炜 ;

杨俊 .

中国专利 :CN120261265A ,2025-07-04

[10]

半导体结构的制造方法及应用其制成的半导体结构 [P].

陈银发 ;

蔡宗岳 ;

张效铨 ;

陈灿贤 ;

杨秉丰 ;

赖逸少 .

中国专利 :CN103137507A ,2013-06-05

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