一种氮化铝外延层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811397338.X

申请日：

2018-11-22

公开(公告)号：

CN109599324B

公开(公告)日：

2019-04-09

发明(设计)人：

周陈唐军潘尧波

申请人：

申请人地址：

230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

王华英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	公开	公开
2021-02-05	授权	授权
2021-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20210302 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥彩虹蓝光科技有限公司变更后权利人:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内变更后权利人:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
2019-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181122

共 50 条

[1]

基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 [P].

王文杰 ;

李俊泽 ;

龙衡 ;

李沫 ;

张健 .

中国专利 :CN106868596A ,2017-06-20

[2]

一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 [P].

王文杰 ;

龙衡 ;

李俊泽 ;

李沫 ;

张健 .

中国专利 :CN106868472B ,2017-06-20

[3]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

[4]

氮化铝薄膜及其远程外延生长方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120738771A ,2025-10-03

[5]

一种LED外延层生长方法 [P].

农明涛 ;

苗振林 ;

卢国军 ;

梁智勇 ;

周佐华 .

中国专利 :CN104952710B ,2015-09-30

[6]

一种外延层生长方法及外延层 [P].

杨静雯 ;

刘勇兴 ;

周毅 ;

黄嘉宏 ;

黄国栋 .

中国专利 :CN114032611A ,2022-02-11

[7]

一种提升氮化镓异质外延的界面质量的生长方法 [P].

李传皓 ;

李忠辉 ;

彭大青 ;

陈韬 .

中国专利 :CN111681953B ,2020-09-18

[8]

一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107706274A ,2018-02-16

[9]

一种氮化铝外延结构及其生长方法 [P].

周圣军 ;

宫丽艳 ;

胡红坡 ;

万辉 .

中国专利 :CN111261759B ,2020-06-09

[10]

在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105734530B ,2016-07-06

← 1 2 3 4 5 →