一种High K栅极电介质/金属层叠栅极制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110418096.X

申请日：

2011-12-14

公开(公告)号：

CN103165441A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

何有丰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L2128 H01L218238

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494124584 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:201110418096X 申请日:20111214
2016-11-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741085506 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:201110418096X 申请公布日:20130619

共 50 条

[1]

具有改进的高-k栅极电介质和金属栅极界面的栅极结构 [P].

林思宏 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN101740372A ,2010-06-16

[2]

一种层叠栅极制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102446725A ,2012-05-09

[3]

一种金属栅极制作方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN107887335A ,2018-04-06

[4]

金属栅极制作方法 [P].

周鸣 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103681273A ,2014-03-26

[5]

栅极电介质层制备方法 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN113299548A ,2021-08-24

[6]

一种高K和金属栅极的制作方法 [P].

周军 .

中国专利 :CN102427032A ,2012-04-25

[7]

金属栅极电极及其制作方法 [P].

V·S·巴斯克尔 ;

H·迪利吉安尼 ;

R·杰米 ;

V·K·帕鲁丘里 ;

L·T·罗曼基乌 .

中国专利 :CN101488520A ,2009-07-22

[8]

一种金属栅极制作方法 [P].

何佳伟 ;

戴秋贇 ;

俞新杰 .

中国专利 :CN119069343A ,2024-12-03

[9]

具有高K栅极电介质的CMOS电路 [P].

C·D·亚当斯 ;

E·A·卡蒂尔 ;

B·B·多里斯 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101663755A ,2010-03-03

[10]

金属栅极的制作方法 [P].

王韶韦 ;

王俞仁 ;

林建良 ;

邓文仪 ;

吕佐文 ;

陈致中 ;

颜英伟 ;

林钰闵 ;

简金城 ;

陈哲明 ;

徐俊伟 ;

张家隆 ;

吴宜静 ;

詹书俨 .

中国专利 :CN102842491A ,2012-12-26

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