光电子半导体构件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510315781.8

申请日：

2010-11-17

公开(公告)号：

CN105023999A

公开(公告)日：

2015-11-04

发明(设计)人：

格特鲁德·克劳特贝恩德·巴克曼克里斯特·贝格内克约翰·拉姆琴科迈克尔·齐茨尔斯佩格

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3356

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635133046 IPC(主分类):H01L 33/56 专利申请号:2015103157818 申请日:20101117
2018-07-17	授权	授权
2015-11-04	公开	公开

共 50 条

[1]

光电子半导体构件 [P].

格特鲁德·克劳特 ;

贝恩德·巴克曼 ;

克里斯特·贝格内克 ;

约翰·拉姆琴科 ;

迈克尔·齐茨尔斯佩格 .

中国专利 :CN102652369B ,2012-08-29

[2]

光电子半导体构件 [P].

S.伊莱克 ;

M.萨巴蒂尔 ;

T.施瓦茨 ;

W.维格莱特 .

中国专利 :CN104737314A ,2015-06-24

[3]

光电子半导体构件 [P].

约翰·拉姆琴 ;

大卫·拉奇 ;

汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔 ;

斯特凡·格勒奇 ;

西蒙·耶雷比奇 .

中国专利 :CN102959746A ,2013-03-06

[4]

用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件 [P].

斯特凡·普雷乌斯 ;

迈克尔·齐茨尔斯佩格 ;

卡罗琳·基斯特纳 .

中国专利 :CN104885237B ,2015-09-02

[5]

用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件 [P].

斯特凡·伊莱克 ;

沃尔特·韦格莱特 ;

卡尔·魏德纳 ;

斯特凡·施特格迈尔 .

中国专利 :CN104115292B ,2014-10-22

[6]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

弗兰克·辛格 ;

布丽塔·格厄特茨 ;

大卫·拉奇 ;

马蒂亚斯·斯佩尔 .

中国专利 :CN106796968B ,2017-05-31

[7]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[8]

光电子半导体激光器构件及光电子装置 [P].

胡贝特·哈尔布里特 ;

阿德里安·斯特凡·阿夫拉梅斯库 ;

克里斯托夫·艾希勒 .

德国专利 :CN118661352A ,2024-09-17

[9]

光电子半导体器件 [P].

U.施特雷佩尔 ;

M.恩格尔 ;

M.赖希 ;

J.E.佐尔格 ;

T.蔡勒 .

中国专利 :CN102272955A ,2011-12-07

[10]

光电子半导体芯片 [P].

卢茨·赫佩尔 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN102106008A ,2011-06-22

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