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用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201380067622.X
申请日
:
2013-12-17
公开(公告)号
:
CN104885237B
公开(公告)日
:
2015-09-02
发明(设计)人
:
斯特凡·普雷乌斯
迈克尔·齐茨尔斯佩格
卡罗琳·基斯特纳
申请人
:
申请人地址
:
德国雷根斯堡
IPC主分类号
:
H01L3348
IPC分类号
:
H01L3354
H01L3350
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
丁永凡;张春水
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-09-02
公开
公开
2017-05-10
授权
授权
2015-09-30
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627822976 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:201380067622X 申请日:20131217
共 50 条
[1]
用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件
[P].
斯特凡·伊莱克
论文数:
0
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0
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0
斯特凡·伊莱克
;
沃尔特·韦格莱特
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沃尔特·韦格莱特
;
卡尔·魏德纳
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卡尔·魏德纳
;
斯特凡·施特格迈尔
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0
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斯特凡·施特格迈尔
.
中国专利
:CN104115292B
,2014-10-22
[2]
光电子的半导体构件和用于制造光电子的半导体构件的方法
[P].
斯特凡·伊莱克
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0
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斯特凡·伊莱克
;
托马斯·施瓦茨
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托马斯·施瓦茨
;
于尔根·莫斯布格尔
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于尔根·莫斯布格尔
;
沃尔特·韦格莱特
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0
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沃尔特·韦格莱特
.
中国专利
:CN104662658B
,2015-05-27
[3]
光电子半导体构件
[P].
S.伊莱克
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S.伊莱克
;
M.萨巴蒂尔
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M.萨巴蒂尔
;
T.施瓦茨
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T.施瓦茨
;
W.维格莱特
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W.维格莱特
.
中国专利
:CN104737314A
,2015-06-24
[4]
光电子半导体构件
[P].
约翰·拉姆琴
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约翰·拉姆琴
;
大卫·拉奇
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大卫·拉奇
;
汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔
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汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔
;
斯特凡·格勒奇
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斯特凡·格勒奇
;
西蒙·耶雷比奇
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西蒙·耶雷比奇
.
中国专利
:CN102959746A
,2013-03-06
[5]
光电子半导体构件
[P].
格特鲁德·克劳特
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格特鲁德·克劳特
;
贝恩德·巴克曼
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贝恩德·巴克曼
;
克里斯特·贝格内克
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克里斯特·贝格内克
;
约翰·拉姆琴科
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约翰·拉姆琴科
;
迈克尔·齐茨尔斯佩格
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迈克尔·齐茨尔斯佩格
.
中国专利
:CN105023999A
,2015-11-04
[6]
光电子半导体构件
[P].
格特鲁德·克劳特
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格特鲁德·克劳特
;
贝恩德·巴克曼
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贝恩德·巴克曼
;
克里斯特·贝格内克
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克里斯特·贝格内克
;
约翰·拉姆琴科
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约翰·拉姆琴科
;
迈克尔·齐茨尔斯佩格
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迈克尔·齐茨尔斯佩格
.
中国专利
:CN102652369B
,2012-08-29
[7]
用于制造光电子半导体构件的壳体的方法、壳体和光电子半导体构件
[P].
格特鲁德·克劳特
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格特鲁德·克劳特
;
贝恩德·巴克曼
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贝恩德·巴克曼
.
中国专利
:CN102668144A
,2012-09-12
[8]
光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法
[P].
西格弗里德·赫尔曼
论文数:
0
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0
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西格弗里德·赫尔曼
.
中国专利
:CN107431118A
,2017-12-01
[9]
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
[P].
伊瓦尔·通林
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伊瓦尔·通林
;
克里斯蒂安·莱雷尔
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克里斯蒂安·莱雷尔
.
中国专利
:CN110603653A
,2019-12-20
[10]
用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
[P].
L.赫佩尔
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L.赫佩尔
;
N.冯马尔姆
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0
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N.冯马尔姆
.
中国专利
:CN102947936B
,2013-02-27
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