用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380067622.X

申请日：

2013-12-17

公开(公告)号：

CN104885237B

公开(公告)日：

2015-09-02

发明(设计)人：

斯特凡·普雷乌斯迈克尔·齐茨尔斯佩格卡罗琳·基斯特纳

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3354 H01L3350

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	公开	公开
2017-05-10	授权	授权
2015-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627822976 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:201380067622X 申请日:20131217

共 50 条

[21]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

费利克斯·费克斯 ;

伊内斯·皮聪卡 ;

彼得鲁斯·松德格伦 .

德国专利 :CN114521295B ,2025-04-25

[22]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

赖纳·哈特曼 ;

马丁·曼德尔 ;

西梅昂·卡茨 ;

安德烈亚斯·吕克尔 .

中国专利 :CN108028286B ,2018-05-11

[23]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

洛伦佐·齐尼 ;

托比亚斯·迈耶 .

中国专利 :CN105190920A ,2015-12-23

[24]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

弗朗茨·埃伯哈德 .

中国专利 :CN108604624B ,2018-09-28

[25]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

托马斯·施瓦茨 ;

弗兰克·辛格 ;

于尔根·莫斯布格尔 .

中国专利 :CN105594002A ,2016-05-18

[26]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

克里斯托夫·诺伊罗伊特 ;

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN103069568B ,2013-04-24

[27]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

伊莎贝尔·奥托 ;

克里斯蒂安·莱雷尔 .

中国专利 :CN110494994A ,2019-11-22

[28]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

王雪 .

中国专利 :CN111433919A ,2020-07-17

[29]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

K.魏德纳 ;

R韦尔特 ;

A.卡尔滕巴歇 ;

W.维格莱特 ;

B.巴希曼 ;

O.武茨 ;

J.马费尔德 .

中国专利 :CN105826448A ,2016-08-03

[30]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

M.休伯 ;

J.索默菲尔德 ;

M.赫兹 ;

S.霍伊布尔 ;

C.伦博尔兹 ;

A.基斯里赫 ;

B.博姆 ;

G.罗斯巴赫 ;

M.布罗尔 .

中国专利 :CN111066160A ,2020-04-24

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