非易失性存储芯片测试系统及非易失性存储芯片测试方法

被引：0

申请号：

CN202211056882.4

申请日：

2022-08-31

公开(公告)号：

CN115547400A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

苏鹏何海平曾泉江京刘建辉

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙岗区坪地街道高桥社区环坪路3号101

IPC主分类号：

G11C2956

IPC分类号：

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

黎坚怡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/56 申请日:20220831
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路 [P].

朱庆军 .

中国专利 :CN222071552U ,2024-11-26

[2]

非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路 [P].

朱庆军 .

中国专利 :CN117746950A ,2024-03-22

[3]

一种非易失性存储芯片的烧录方法和系统 [P].

李红京 ;

刘洋 ;

刘洪 ;

文义 ;

刘书培 .

中国专利 :CN103632724A ,2014-03-12

[4]

缓存读取电路及方法、缓存读写电路、非易失性存储芯片 [P].

左平 .

中国专利 :CN121237142A ,2025-12-30

[5]

非易失性存储元件及非易失性存储装置 [P].

魏志强 ;

高木刚 ;

三谷觉 ;

村冈俊作 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN103250252B ,2013-08-14

[6]

非易失性存储元件及非易失性存储装置 [P].

片山幸治 ;

高木刚 .

中国专利 :CN102047423B ,2011-05-04

[7]

存储芯片测试组件及存储芯片测试系统 [P].

孙成思 ;

孙日欣 ;

刘小刚 ;

王万军 .

中国专利 :CN214428332U ,2021-10-19

[8]

非易失性存储装置的制造方法、非易失性存储元件、及非易失性存储装置 [P].

巍志强 ;

高木刚 ;

饭岛光辉 .

中国专利 :CN102859690A ,2013-01-02

[9]

非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储装置的制造方法 [P].

米田慎一 ;

三河巧 ;

伊藤理 ;

早川幸夫 ;

姫野敦史 .

中国专利 :CN103999218A ,2014-08-20

[10]

测试非易失性存储设备的方法 [P].

车载元 ;

金德柱 .

中国专利 :CN101533673A ,2009-09-16

← 1 2 3 4 5 →