电介质组合物和集成电路装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97120526.4

申请日：

1997-09-26

公开(公告)号：

CN1188988A

公开(公告)日：

1998-07-29

发明(设计)人：

詹姆斯·拉普顿·海德里克罗伯特·丹尼斯·米勒萨蒂安纳拉扬·阿扬加尔·斯里尼瓦森

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01B318 H01L218239

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
1998-07-29	公开	公开
1998-07-01	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

集成电路装置及其制造方法 [P].

胡夫·拉尔夫·布朗 ;

肯那斯·莱蒙德·卡特 ;

查雨勤 ;

里查德·安托尼·蒂皮乔 ;

詹姆斯·露普顿·赫吉克 ;

约翰·帕吉克·胡迈尔 ;

罗伯特·丹尼斯·米勒 ;

杜永阳 .

中国专利 :CN1188987A ,1998-07-29

[2]

集成电路装置及其制造方法 [P].

肯尼斯·雷蒙德·卡特 ;

詹姆斯·拉普顿·海德里克 ;

罗伯特·丹尼斯·米勒 .

中国专利 :CN1188986A ,1998-07-29

[3]

具有电介质锚定物空隙的集成电路结构 [P].

L·P·古勒尔 ;

C·H·华莱士 ;

T·加尼 .

美国专利 :CN117727760A ,2024-03-19

[4]

具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构 [P].

M·K·哈兰 ;

M·哈桑 ;

T·加尼 ;

A·S·默西 .

美国专利 :CN121174600A ,2025-12-19

[5]

内层电介质沉积方法、集成电路制造方法以及集成电路 [P].

王灼平 ;

沈玺 .

中国专利 :CN102427035A ,2012-04-25

[6]

包含复合电介质层的集成电路 [P].

G·S·马瑟 ;

A·阿里 ;

P·费尔南德斯 ;

B·斯里尼瓦桑 ;

D·R·克鲁默 ;

J·S·阿丰索 ;

S-C·张 ;

S·艾尔沙德 .

中国专利 :CN114072902A ,2022-02-18

[7]

集成电路装置及其制造方法 [P].

克莱格·约汉·豪克尔 ;

詹姆斯·拉普顿·海德里克 ;

罗伯特·丹尼斯·米勒 .

中国专利 :CN1142593C ,1998-08-05

[8]

集成电路装置和制造该集成电路装置的方法 [P].

李洋熙 ;

朴钟爀 ;

朴慧圣 ;

姜昇芝 ;

金成垠 ;

李东源 ;

韩珠妍 .

韩国专利 :CN119136539A ,2024-12-13

[9]

高耐压半导体集成电路装置、电介质分离型半导体装置 [P].

渡边笃雄 ;

本田光利 ;

石塚典男 ;

伊藤昌弘 ;

田畑利仁 ;

栗田信一 ;

神冈秀和 .

中国专利 :CN101521213A ,2009-09-02

[10]

高耐压半导体集成电路装置、电介质分离型半导体装置 [P].

渡边笃雄 ;

本田光利 ;

石塚典男 ;

伊藤昌弘 ;

田畑利仁 ;

栗田信一 ;

神冈秀和 .

中国专利 :CN101034709A ,2007-09-12

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