半导体工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611193089.3

申请日：

2016-12-21

公开(公告)号：

CN106941077A

公开(公告)日：

2017-07-11

发明(设计)人：

颜妤庭黄惠琪蔡及铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

B08B308 B08B302 B08B100 G01N2165

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

王芝艳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/306 申请公布日:20170711
2017-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体工艺方法和半导体蚀刻设备 [P].

陈峰 ;

蔡东翰 ;

曾凡维 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN115513135A ,2022-12-23

[2]

半导体工艺、半导体器件的制作方法和半导体器件 [P].

黄康荣 ;

肖婷 ;

廖勇波 ;

翟焕焕 ;

吴佳蒙 .

中国专利 :CN110120342A ,2019-08-13

[3]

半导体工艺方法 [P].

刘曦光 .

中国专利 :CN112750715B ,2021-05-04

[4]

半导体工艺方法 [P].

李玮乐 .

中国专利 :CN114709303A ,2022-07-05

[5]

半导体工艺方法 [P].

韦伟 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110148559A ,2019-08-20

[6]

半导体工艺方法 [P].

林光启 ;

陈真 ;

刘晨旭 ;

邱文莹 .

中国专利 :CN113327863B ,2021-08-31

[7]

半导体工艺方法 [P].

余德伟 ;

陈建豪 ;

彭治棠 ;

王舒谊 ;

陈哲明 .

中国专利 :CN110277350A ,2019-09-24

[8]

半导体工艺方法 [P].

张家敖 ;

余德伟 ;

陈建豪 ;

卢永诚 .

中国专利 :CN110634745A ,2019-12-31

[9]

半导体工艺方法 [P].

王印典 ;

刘海鹰 ;

徐力田 .

中国专利 :CN120730740A ,2025-09-30

[10]

半导体工艺方法 [P].

凌坚 .

中国专利 :CN116430688B ,2024-03-01

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