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一种半导体器件的终端结构

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201821876289.3
申请日：
2018-11-15
公开(公告)号：
CN209000917U
公开(公告)日：
2019-06-18
发明(设计)人：
刘锋 周祥瑞 殷允超
申请人：
申请人地址：
226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978 H01L21336
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-06-18 授权 授权
2020-10-16 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:专利权人 变更前:江苏捷捷微电子股份有限公司 变更后:江苏捷捷微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前:226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号 变更后:226200 江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号
共 50 条
[1]
能提高耐压能力的半导体器件终端结构 [P]. 
刘锋 ;
周祥瑞 ;
殷允超 .
中国专利 :CN208336233U ,2019-01-04
[2]
一种半导体器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
刘锋 ;
周祥瑞 ;
殷允超 .
中国专利 :CN109346512A ,2019-02-15
[3]
一种半导体器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
刘锋 ;
周祥瑞 ;
殷允超 .
中国专利 :CN109346512B ,2024-07-02
[4]
一种半导体器件的终端结构 [P]. 
肖婷 ;
史波 ;
曾丹 ;
敖利波 ;
曹俊 .
中国专利 :CN210866184U ,2020-06-26
[5]
一种优化终端结构的沟槽型半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN206976353U ,2018-02-06
[6]
半导体器件的终端结构 [P]. 
罗梅村 .
中国专利 :CN201829503U ,2011-05-11
[7]
一种半导体器件的终端结构 [P]. 
陶永洪 ;
陈辉 .
中国专利 :CN120109096A ,2025-06-06
[8]
能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法 [P]. 
刘锋 ;
周祥瑞 ;
殷允超 .
中国专利 :CN108598151A ,2018-09-28
[9]
能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法 [P]. 
刘锋 ;
周祥瑞 ;
殷允超 .
中国专利 :CN108598151B ,2024-02-02
[10]
一种半导体结构及半导体器件 [P]. 
耿立明 ;
陈正龙 .
中国专利 :CN222442146U ,2025-02-07
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