一种优化终端结构的沟槽型半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720877752.5

申请日：

2017-07-19

公开(公告)号：

CN206976353U

公开(公告)日：

2018-02-06

发明(设计)人：

朱袁正周锦程

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27088 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种优化终端结构的沟槽型半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN107204372A ,2017-09-26

[2]

沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN203055918U ,2013-07-10

[3]

一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN202772136U ,2013-03-06

[4]

沟槽功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07

[5]

一种功率半导体器件的沟槽型终端结构 [P].

任敏 ;

谢驰 ;

李家驹 ;

钟子期 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN106024866B ,2016-10-12

[6]

一种功率半导体器件终端结构 [P].

朱袁正 ;

张硕 .

中国专利 :CN207967000U ,2018-10-12

[7]

一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN203118956U ,2013-08-07

[8]

一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构 [P].

徐吉程 ;

范玮 ;

袁力鹏 .

中国专利 :CN207303107U ,2018-05-01

[9]

一种半导体器件的终端结构 [P].

刘锋 ;

周祥瑞 ;

殷允超 .

中国专利 :CN209000917U ,2019-06-18

[10]

一种内置肖特基结构的沟槽式半导体功率器件 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 ;

顾挺 .

中国专利 :CN210607275U ,2020-05-22

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