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一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201720986916.8
申请日：
2017-08-08
公开(公告)号：
CN207303107U
公开(公告)日：
2018-05-01
发明(设计)人：
徐吉程
范玮
袁力鹏
申请人：
申请人地址：
710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-12-29 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:专利权人 变更前:西安华羿微电子股份有限公司 变更后:华羿微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 变更后:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 |
| 2018-05-01 | 授权 | 授权 |