一种优化终端结构的沟槽型半导体器件及制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201710591047.3
申请日
2017-07-19
公开(公告)号
CN107204372A
公开(公告)日
2017-09-26
发明(设计)人
朱袁正 周锦程
申请人
申请人地址
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906 H01L27088 H01L21336
代理机构
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人
曹祖良
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种优化终端结构的沟槽型半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN206976353U ,2018-02-06
[2]
沟槽功率半导体器件及制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN112216743B ,2024-11-29
[3]
沟槽功率半导体器件及制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN112216743A ,2021-01-12
[4]
沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN103151381A ,2013-06-12
[5]
一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN102832234B ,2012-12-19
[6]
沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN203055918U ,2013-07-10
[7]
一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN202772136U ,2013-03-06
[8]
一种沟槽型半导体器件中的沟槽的制造方法 [P]. 
侯宏伟 ;
丁磊 .
中国专利 :CN104409358A ,2015-03-11
[9]
半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件 [P]. 
李强 ;
刘维 ;
张海宇 ;
杨彦刚 ;
左义忠 ;
姜明宝 .
中国专利 :CN113206146A ,2021-08-03
[10]
带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN113782432A ,2021-12-10