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一种优化终端结构的沟槽型半导体器件及制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710591047.3
申请日
:
2017-07-19
公开(公告)号
:
CN107204372A
公开(公告)日
:
2017-09-26
发明(设计)人
:
朱袁正
周锦程
申请人
:
申请人地址
:
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2906
H01L27088
H01L21336
代理机构
:
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人
:
曹祖良
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-09-26
公开
公开
2017-10-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170719
共 50 条
[1]
一种优化终端结构的沟槽型半导体器件
[P].
朱袁正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱袁正
;
周锦程
论文数:
0
引用数:
0
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0
周锦程
.
中国专利
:CN206976353U
,2018-02-06
[2]
沟槽功率半导体器件及制造方法
[P].
朱袁正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
无锡新洁能股份有限公司
无锡新洁能股份有限公司
朱袁正
;
周锦程
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
无锡新洁能股份有限公司
无锡新洁能股份有限公司
周锦程
.
中国专利
:CN112216743B
,2024-11-29
[3]
沟槽功率半导体器件及制造方法
[P].
朱袁正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱袁正
;
周锦程
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周锦程
.
中国专利
:CN112216743A
,2021-01-12
[4]
沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁磊
;
侯宏伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
侯宏伟
.
中国专利
:CN103151381A
,2013-06-12
[5]
一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁磊
;
侯宏伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
侯宏伟
.
中国专利
:CN102832234B
,2012-12-19
[6]
沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁磊
;
侯宏伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
侯宏伟
.
中国专利
:CN203055918U
,2013-07-10
[7]
一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁磊
;
侯宏伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
侯宏伟
.
中国专利
:CN202772136U
,2013-03-06
[8]
一种沟槽型半导体器件中的沟槽的制造方法
[P].
侯宏伟
论文数:
0
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0
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0
侯宏伟
;
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁磊
.
中国专利
:CN104409358A
,2015-03-11
[9]
半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件
[P].
李强
论文数:
0
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0
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0
李强
;
刘维
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘维
;
张海宇
论文数:
0
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0
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0
张海宇
;
杨彦刚
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨彦刚
;
左义忠
论文数:
0
引用数:
0
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0
左义忠
;
姜明宝
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姜明宝
.
中国专利
:CN113206146A
,2021-08-03
[10]
带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN113782432A
,2021-12-10
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