一种半导体器件的终端结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510256241.0

申请日：

2025-03-05

公开(公告)号：

CN120109096A

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

陶永洪陈辉

申请人：

杭州芯迈半导体技术有限公司

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201

IPC主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-06	公开	公开
2025-08-01	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 23/31变更事项:申请人变更前:杭州芯迈半导体技术有限公司变更后:芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201变更后:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-608
2025-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/31申请日:20250305

共 50 条

[1]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[2]

一种半导体器件的终端结构 [P].

肖婷 ;

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

曹俊 .

中国专利 :CN210866184U ,2020-06-26

[3]

一种半导体器件的终端结构 [P].

刘锋 ;

周祥瑞 ;

殷允超 .

中国专利 :CN209000917U ,2019-06-18

[4]

一种抗辐射半导体器件终端结构 [P].

周锌 ;

赵凯 ;

马阔 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109713032A ,2019-05-03

[5]

一种优化终端结构的沟槽型半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN206976353U ,2018-02-06

[6]

一种功率半导体器件的终端结构 [P].

任敏 ;

李佳驹 ;

苏志恒 ;

李泽宏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN107425054A ,2017-12-01

[7]

半导体器件的终端结构及半导体器件 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120512913A ,2025-08-19

[8]

半导体器件的终端结构及半导体器件 [P].

李寿全 ;

赵哿 ;

张彦飞 ;

龚雪芹 ;

温霄霞 ;

刘梦新 .

中国专利 :CN223080393U ,2025-07-08

[9]

半导体器件的终端结构及半导体器件 [P].

金锐 ;

董少华 ;

牛喜平 ;

桑玲 ;

徐开轩 ;

李新宇 ;

路雅淇 ;

解建芳 ;

李哲洋 .

中国专利 :CN119562578A ,2025-03-04

[10]

半导体器件的终端结构及其半导体器件 [P].

钟炜 ;

杨承晋 ;

刘涛 ;

兰华兵 .

中国专利 :CN115579382A ,2023-01-06

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