用于还原金属氧化物的方法以及用于该方法的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99816824.6

申请日：

1999-07-28

公开(公告)号：

CN1361832A

公开(公告)日：

2002-07-31

发明(设计)人：

吉多·蒙蒂尼

申请人：

申请人地址：

比利时根特

IPC主分类号：

C21B1310

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

马高平;杨梧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-07-31	公开	公开
2005-05-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[41]

用于金属氧化物还原的预处理方法和所形成的器件 [P].

陈莉 ;

林志男 ;

孙锦峰 ;

吕伯雄 ;

刘定一 .

中国专利 :CN104253086B ,2014-12-31

[42]

一种金属氧化物的还原方法 [P].

郝建民 ;

朱军 ;

陈宏 ;

陈永楠 .

中国专利 :CN106319215A ,2017-01-11

[43]

纳米金属氧化物的制备方法及该方法制得的纳米金属氧化物 [P].

王宗良 ;

陈建岭 .

中国专利 :CN1613772A ,2005-05-11

[44]

用于制备锂过渡金属氧化物的方法 [P].

D·凯恩斯 ;

P·康纳汉 ;

A·戴蒙德 .

中国专利 :CN115667154A ,2023-01-31

[45]

用于制造金属氧化物半导体的方法 [P].

山下嘉久 ;

K·K·班戈 ;

H·斯林格霍斯 .

中国专利 :CN102893368B ,2013-01-23

[46]

用于OLED的金属氧化物薄膜基板及其制造方法 [P].

李柱永 ;

朴峻亨 ;

刘泳祚 ;

金序炫 ;

朴正佑 ;

白逸姬 ;

尹根尙 ;

李铉熙 ;

崔殷豪 .

中国专利 :CN103730600A ,2014-04-16

[47]

金属氧化物的制造装置和金属氧化物的制造方法 [P].

村田秀之 ;

矢木直人 ;

饭田正纪 ;

今村彰志 ;

袁建军 .

日本专利 :CN118176161A ,2024-06-11

[48]

用于产生氢气的金属氧化物催化剂及制备该金属氧化物催化剂的方法 [P].

林明勋 ;

朴台熙 ;

具载会 ;

刘龙昊 .

中国专利 :CN101203305A ,2008-06-18

[49]

还原氧化铁的方法及用于该方法的装置 [P].

吉多·蒙泰尼 .

中国专利 :CN1288485A ,2001-03-21

[50]

还原氮氧化物的方法和装置 [P].

J·C·德鲁伊特 .

中国专利 :CN1662293A ,2005-08-31

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