单晶硅高过载差压传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520121968.X

申请日：

2015-03-02

公开(公告)号：

CN204479229U

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

黄龙圣陈文弦桂永波冷飞国

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区菊园新区六里中心路128弄2号A区

IPC主分类号：

G01L1300

IPC分类号：

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

张坚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高过载单晶硅差压传感器 [P].

王峥 ;

周文海 ;

王玲 .

中国专利 :CN114777993A ,2022-07-22

[2]

单晶硅差压传感器 [P].

高峰 ;

马志强 .

中国专利 :CN307568606S ,2022-09-27

[3]

一种耐高温高过载的单晶硅差压传感器 [P].

牛敏亮 ;

张建辉 ;

李萍 ;

苏立川 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN118670600B ,2024-11-15

[4]

一种耐高温高过载的单晶硅差压传感器 [P].

牛敏亮 ;

张建辉 ;

李萍 ;

苏立川 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN118670600A ,2024-09-20

[5]

一种单晶硅差压传感器 [P].

朱正 ;

朱银华 .

中国专利 :CN217819159U ,2022-11-15

[6]

一种单晶硅差压传感器 [P].

赵刚 ;

曹晓乐 ;

冷飞国 .

中国专利 :CN221425862U ,2024-07-26

[7]

单晶硅高过压保护型压力传感器 [P].

陈立新 ;

陈坚 .

中国专利 :CN209961389U ,2020-01-17

[8]

一种新型高过载差压传感器 [P].

盛雪梅 .

中国专利 :CN211262563U ,2020-08-14

[9]

单晶硅多参量差压传感器 [P].

陈立新 ;

牟恒 .

中国专利 :CN209961384U ,2020-01-17

[10]

一种防震单晶硅压差传感器 [P].

陈静 ;

李济洲 .

中国专利 :CN209623941U ,2019-11-12

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