一种单晶硅差压传感器

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申请号
CN202220814486.2
申请日
2022-04-11
公开(公告)号
CN217819159U
公开(公告)日
2022-11-15
发明(设计)人
朱正 朱银华
申请人
申请人地址
314000 浙江省嘉兴市秀洲区康和路500中节能产业园V20号厂房
IPC主分类号
G01L1306
IPC分类号
G01L122
代理机构
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253
代理人
王家蕾
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
单晶硅差压传感器 [P]. 
高峰 ;
马志强 .
中国专利 :CN307568606S ,2022-09-27
[2]
单晶硅高过载差压传感器 [P]. 
黄龙圣 ;
陈文弦 ;
桂永波 ;
冷飞国 .
中国专利 :CN204479229U ,2015-07-15
[3]
一种单晶硅差压传感器 [P]. 
赵刚 ;
曹晓乐 ;
冷飞国 .
中国专利 :CN221425862U ,2024-07-26
[4]
一种高过载单晶硅差压传感器 [P]. 
王峥 ;
周文海 ;
王玲 .
中国专利 :CN114777993A ,2022-07-22
[5]
一种高静压单晶硅差压传感器 [P]. 
童辉 .
中国专利 :CN120890600A ,2025-11-04
[6]
一种防震单晶硅压差传感器 [P]. 
陈静 ;
李济洲 .
中国专利 :CN209623941U ,2019-11-12
[7]
一种高静压单晶硅差压传感器的差压传感方法 [P]. 
童辉 ;
周鹏 ;
宋礼明 ;
朱成伟 ;
陈修 .
中国专利 :CN112345158B ,2021-02-09
[8]
一种对称结构的单晶硅差压传感器 [P]. 
赵建立 ;
马志强 .
中国专利 :CN214951938U ,2021-11-30
[9]
一种新型高静压单晶硅差压传感器 [P]. 
童辉 ;
周鹏 ;
宋礼明 ;
朱成伟 ;
陈修 .
中国专利 :CN212871584U ,2021-04-02
[10]
一种防振动的单晶硅差压传感器 [P]. 
高峰 ;
马志强 ;
肖甲 .
中国专利 :CN223295569U ,2025-09-02