单晶硅差压传感器

被引：0

申请号：

CN202230367151.6

申请日：

2022-06-15

公开(公告)号：

CN307568606S

公开(公告)日：

2022-09-27

发明(设计)人：

高峰马志强

申请人：

申请人地址：

211100 江苏省南京市江宁区滨江开发区闻莺路

IPC主分类号：

1005

IPC分类号：

代理机构：

南京佰腾智信知识产权代理事务所(普通合伙) 32509

代理人：

黄杭飞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅高过载差压传感器 [P].

黄龙圣 ;

陈文弦 ;

桂永波 ;

冷飞国 .

中国专利 :CN204479229U ,2015-07-15

[2]

一种单晶硅差压传感器 [P].

朱正 ;

朱银华 .

中国专利 :CN217819159U ,2022-11-15

[3]

一种单晶硅差压传感器 [P].

赵刚 ;

曹晓乐 ;

冷飞国 .

中国专利 :CN221425862U ,2024-07-26

[4]

单晶硅压差传感器功能验证测试设备 [P].

黄良丘 ;

刘春涛 ;

王雅琼 ;

吴超 ;

刘小进 ;

李秀敏 .

中国专利 :CN120489443B ,2025-09-30

[5]

单晶硅压差传感器功能验证测试设备 [P].

黄良丘 ;

刘春涛 ;

王雅琼 ;

吴超 ;

刘小进 ;

李秀敏 .

中国专利 :CN120489443A ,2025-08-15

[6]

一种高过载单晶硅差压传感器 [P].

王峥 ;

周文海 ;

王玲 .

中国专利 :CN114777993A ,2022-07-22

[7]

一种高静压单晶硅差压传感器 [P].

童辉 .

中国专利 :CN120890600A ,2025-11-04

[8]

单晶硅差压变送器 [P].

李明 ;

肖悦超 ;

李哲 ;

高亮 ;

李雪妍 .

中国专利 :CN108871660A ,2018-11-23

[9]

一种高静压单晶硅差压传感器的差压传感方法 [P].

童辉 ;

周鹏 ;

宋礼明 ;

朱成伟 ;

陈修 .

中国专利 :CN112345158B ,2021-02-09

[10]

单晶硅多参量差压传感器 [P].

陈立新 ;

牟恒 .

中国专利 :CN209961384U ,2020-01-17

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