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单晶硅压差传感器功能验证测试设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510992552.3
申请日：
2025-07-18
公开(公告)号：
CN120489443B
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
黄良丘 刘春涛 王雅琼 吴超 刘小进 李秀敏
申请人：
浙江力夫自控技术股份有限公司
申请人地址：
325000 浙江省温州市乐清市乐清经济开发区纬十五路220号
IPC主分类号：
G01L27/00
IPC分类号：
代理机构：
温州市嘉知诺专利代理事务所(特殊普通合伙) 33613
代理人：
孙豪
法律状态：
授权
国省代码：
河北省 衡水市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 授权 授权
2025-08-15 公开 公开
2025-09-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01L 27/00申请日:20250718
共 50 条
[1]
单晶硅压差传感器功能验证测试设备 [P]. 
黄良丘 ;
刘春涛 ;
王雅琼 ;
吴超 ;
刘小进 ;
李秀敏 .
中国专利 :CN120489443A ,2025-08-15
[2]
单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备 [P]. 
刘春涛 ;
黄良丘 ;
王雅琼 ;
吴超 ;
刘小进 ;
李秀敏 .
中国专利 :CN120721291B ,2025-11-11
[3]
单晶硅压差传感器长期稳定性测试设备 [P]. 
刘春涛 ;
黄良丘 ;
王雅琼 ;
吴超 ;
刘小进 ;
李秀敏 .
中国专利 :CN120721291A ,2025-09-30
[4]
单晶硅差压传感器 [P]. 
高峰 ;
马志强 .
中国专利 :CN307568606S ,2022-09-27
[5]
单晶硅高过载差压传感器 [P]. 
黄龙圣 ;
陈文弦 ;
桂永波 ;
冷飞国 .
中国专利 :CN204479229U ,2015-07-15
[6]
一种单晶硅差压传感器 [P]. 
朱正 ;
朱银华 .
中国专利 :CN217819159U ,2022-11-15
[7]
一种单晶硅差压传感器 [P]. 
赵刚 ;
曹晓乐 ;
冷飞国 .
中国专利 :CN221425862U ,2024-07-26
[8]
压差传感器测试设备 [P]. 
赵龙龙 ;
张建华 ;
苏国梁 .
中国专利 :CN217276641U ,2022-08-23
[9]
一种防震单晶硅压差传感器 [P]. 
陈静 ;
李济洲 .
中国专利 :CN209623941U ,2019-11-12
[10]
高稳定性单晶硅压差传感器 [P]. 
牟恒 .
中国专利 :CN105067182A ,2015-11-18
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