掺杂钼的氧化铟靶材制备方法和掺杂钼的氧化铟靶材

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010755647.0

申请日：

2020-07-31

公开(公告)号：

CN114057470A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

雷雨许积文周志宏肖世洪周昭宇杨永添

申请人：

申请人地址：

510880 广东省广州市花都区花山镇华侨科技工业园华辉路4号

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C04B35622 C04B3563

代理机构：

北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343

代理人：

尚志峰;王淑梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/01 申请日:20200731
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法 [P].

雷雨 ;

许积文 ;

周志宏 ;

肖世洪 ;

周昭宇 ;

杨永添 .

中国专利 :CN114059025A ,2022-02-18

[2]

一种氧化铟钼镨靶材及其制备方法 [P].

李开杰 ;

邵学亮 ;

王奇峰 ;

谭洪蕾 ;

罗斯诗 .

中国专利 :CN116143500B ,2024-01-19

[3]

一种多元掺杂氧化铟靶材及其制备方法和应用 [P].

王靓栎 ;

葛春桥 ;

陈露 .

中国专利 :CN119954497A ,2025-05-09

[4]

一种多元掺杂氧化铟靶材及其制备方法和应用 [P].

王靓栎 ;

葛春桥 ;

陈露 .

中国专利 :CN119954497B ,2025-10-28

[5]

一种氧化铈掺杂氧化铟基靶材及其制备方法和应用 [P].

程玺儒 ;

徐威 .

中国专利 :CN121135372A ,2025-12-16

[6]

钼掺杂氧化铟导电薄膜、制备方法及其应用 [P].

周明杰 ;

王平 ;

陈吉星 ;

黄辉 .

中国专利 :CN103682015A ,2014-03-26

[7]

一种钨掺杂氧化铟靶材及其制备方法和应用 [P].

梅方胜 ;

陈明威 ;

崔艳 .

中国专利 :CN117049860B ,2025-10-03

[8]

钠掺杂钼旋转靶材及其制备方法 [P].

徐从康 .

中国专利 :CN104894517B ,2015-09-09

[9]

一种制备新型导电氧化铟靶材及氧化铟薄膜的方法 [P].

黄信二 .

中国专利 :CN103205708A ,2013-07-17

[10]

低结瘤氧化铟锡靶材的制备方法 [P].

孙本双 ;

何季麟 ;

舒永春 ;

曾学云 ;

陈杰 ;

李庆奎 ;

杨淑敏 ;

刘洋 ;

梁鹏 ;

赵旭 ;

齐超 ;

张雨 ;

仇晨 .

中国专利 :CN109369172A ,2019-02-22

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