用于砷化镓抛光的磁流变抛光液及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710662953.8
申请日
2017-08-04
公开(公告)号
CN107523220A
公开(公告)日
2017-12-29
发明(设计)人
曹建国 李建勇 朱朋哲 聂蒙 徐金环
申请人
申请人地址
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号
IPC主分类号
C09G102
IPC分类号
H01F144
代理机构
北京市商泰律师事务所 11255
代理人
黄晓军
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[11]
一种水基磁流变抛光液及其制备方法 [P]. 
谷岩 ;
周伟东 ;
白建 ;
李德华 ;
张俊杰 ;
高英桓 ;
刘思麟 .
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[12]
大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 [P]. 
潘国顺 ;
陈高攀 ;
罗桂海 ;
罗海梅 ;
周艳 ;
潘立焱 .
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[13]
适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 [P]. 
黄传锦 ;
周海 ;
顾斌 ;
刘道标 ;
惠学芹 ;
吴进 .
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[14]
磁流变非晶合金抛光装置、抛光液及抛光方法 [P]. 
宋佳 .
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[15]
半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液 [P]. 
陈意桥 ;
钱磊 ;
周千学 .
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[16]
一种复合磁流变抛光液及其制备方法 [P]. 
张洪铭 ;
李大年 ;
杨景云 ;
文轩 ;
任国现 ;
胥应虎 ;
史哲 .
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[17]
砷化镓抛光液自动循环过滤装置 [P]. 
易德福 .
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[18]
一种单相磁流变抛光液及其制备方法 [P]. 
李晓媛 ;
叶作彦 ;
叶敏恒 ;
李启凯 ;
王利利 ;
潘金龙 ;
程磊 ;
王超 .
中国专利 :CN113234395A ,2021-08-10
[19]
氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法 [P]. 
周海 ;
徐晓明 ;
龚凯 .
中国专利 :CN105153943B ,2015-12-16
[20]
一种水基磁流变抛光液及其配制方法 [P]. 
白杨 ;
薛栋林 ;
王孝坤 ;
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张峰 .
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