在外延层中形成的集成沟槽电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980009489.X

申请日：

2019-01-22

公开(公告)号：

CN111630652A

公开(公告)日：

2020-09-04

发明(设计)人：

贾骄 H·林刘运龙 M·贾因

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2170

IPC分类号：

H01L2704 H01L2348

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

魏利娜

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	公开	公开
2020-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/70 申请日:20190122

共 50 条

[1]

形成于互连层中的电容器 [P].

A·H·佩雷拉 ;

V·T·丁恩 ;

M·D·霍尔 ;

K·H·容克 .

美国专利 :CN120709254A ,2025-09-26

[2]

集成沟槽式电容器 [P].

B·胡 ;

H·卡瓦哈勒 ;

S·P·彭德哈卡 .

中国专利 :CN107818970A ,2018-03-20

[3]

集成电容器及其形成方法 [P].

E·C·斯图尔特 ;

杰弗里·A·韦斯特 ;

T·D·博尼菲尔德 ;

J·A·加列戈斯 ;

川杰圣 ;

于志毅 .

中国专利 :CN108091640A ,2018-05-29

[4]

形成集成电路电容器的方法及由此形成的电容器 [P].

金荣善 ;

金景勋 ;

元晳俊 ;

南甲镇 ;

金荣敏 ;

金荣大 ;

朴泳旭 ;

李承恒 ;

李相协 ;

沈世镇 ;

陈裕赞 ;

文周泰 ;

崔珍爽 .

中国专利 :CN1130761C ,1998-11-18

[5]

沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法 [P].

R.贝格尔 ;

S.庞普尔 ;

T.波普 .

中国专利 :CN103296000B ,2013-09-11

[6]

沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111106095A ,2020-05-05

[7]

沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN111106095B ,2025-04-29

[8]

集成电路中的集成电容器 [P].

E·N·斯蒂芬诺夫 ;

P·K·阿布达 .

中国专利 :CN114582885A ,2022-06-03

[9]

具有扩展电介质层的沟槽电容器 [P].

N·哈拉蒂普 ;

C-C·林 ;

S-C·常 ;

I·A·扬 ;

U·E·阿维奇 ;

J·T·卡瓦列罗斯 .

中国专利 :CN112086430A ,2020-12-15

[10]

集成结构、电容器及形成电容器的方法 [P].

E·弗里曼 ;

P·泰萨里欧 .

中国专利 :CN108538817B ,2018-09-14

← 1 2 3 4 5 →