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一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010158860.X
申请日：
2010-04-29
公开(公告)号：
CN101817499B
公开(公告)日：
2010-09-01
发明(设计)人：
魏芹芹
邓斯天
赵华波
傅云义
黄如
张兴
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号：
B82B100
IPC分类号：
B82B300
代理机构：
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360
代理人：
张肖琪
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-09-01 | 公开 | 公开 |
| 2012-09-26 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101454187041 IPC(主分类):B82B 1/00 专利号:ZL201010158860X 变更事项:专利权人 变更前权利人:北京大学 变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更事项:专利权人 变更前权利人:无 变更后权利人:北京大学 登记生效日:20120828 |
| 2012-07-04 | 授权 | 授权 |
| 2010-10-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101008887849 IPC(主分类):B82B 1/00 专利申请号:201010158860X 申请日:20100429 |