一种二维二硫化钨自构同质结及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010871962.X

申请日：

2020-08-26

公开(公告)号：

CN112079387B

公开(公告)日：

2020-12-15

发明(设计)人：

周瑜琛郑照强

申请人：

申请人地址：

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

C01G4100

IPC分类号：

H01L31032 H01L31103 H01L3118

代理机构：

广东广信君达律师事务所 44329

代理人：

彭玉婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 41/00 申请日:20200826
2023-01-20	授权	授权
2020-12-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二硫化钨同质结、制备方法和应用 [P].

王广 ;

李靓 ;

张红梅 ;

彭子丹 ;

罗淑芳 ;

周俊昆 ;

姚博文 ;

彭刚 .

中国专利 :CN119465038A ,2025-02-18

[2]

一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用 [P].

杜纯 ;

杨子逸 ;

莫安珍 ;

段宣明 .

中国专利 :CN115385378A ,2022-11-25

[3]

一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用 [P].

陆健婷 ;

郑照强 .

中国专利 :CN110473925A ,2019-11-19

[4]

一种新型二维同质结及其制备方法 [P].

侯鹏飞 ;

蔡传洋 ;

欧阳晓平 .

中国专利 :CN113782633A ,2021-12-10

[5]

一种二维二硫化钨/一水合三氧化钨横向异质结及其制备方法、应用 [P].

许群 ;

周鹏赏 ;

李鸿祥 ;

闫波 .

中国专利 :CN105148946B ,2015-12-16

[6]

一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

徐竹华 ;

赵士超 .

中国专利 :CN110373718A ,2019-10-25

[7]

一种雪花状的二硫化钨二维晶体材料、SERS传感器及其制备方法和应用 [P].

徐海涛 ;

刘兆肃 ;

龙拥兵 ;

叶晓宜 ;

刘国濠 ;

张仕源 ;

郑晓婷 ;

劳媚媚 ;

邓海东 ;

兰玉彬 .

中国专利 :CN113699594A ,2021-11-26

[8]

一种单原子层的二硫化钨二维材料及其逆向物理气相沉积的制备方法和应用 [P].

李京波 ;

徐志军 ;

李翎 ;

霍能杰 ;

赵艳 ;

魏钟鸣 ;

陈洪宇 .

中国专利 :CN110734092A ,2020-01-31

[9]

磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用 [P].

魏钟鸣 ;

房景治 ;

黎博 ;

廖志敏 ;

杨珏晗 ;

魏大海 ;

宗易昕 ;

文宏玉 .

中国专利 :CN111430536B ,2020-07-17

[10]

一种二硫化钨微球及其制备方法和应用 [P].

张向华 ;

徐鸿翔 ;

叶霞 ;

刘涛 .

中国专利 :CN110550659A ,2019-12-10

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