一种新型二维同质结及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111082049.2

申请日：

2021-09-15

公开(公告)号：

CN113782633A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

侯鹏飞蔡传洋欧阳晓平

申请人：

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学

IPC主分类号：

H01L31103

IPC分类号：

H01L3118 B82Y1500 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465

代理人：

崔自京

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/103 申请日:20210915
2021-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维二硫化钨自构同质结及其制备方法和应用 [P].

周瑜琛 ;

郑照强 .

中国专利 :CN112079387B ,2020-12-15

[2]

一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法 [P].

张跃 ;

卫孝福 ;

张铮 ;

张先坤 ;

于慧慧 ;

高丽 ;

洪孟羽 ;

都娴 .

中国专利 :CN116190436B ,2024-05-10

[3]

磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用 [P].

魏钟鸣 ;

房景治 ;

黎博 ;

廖志敏 ;

杨珏晗 ;

魏大海 ;

宗易昕 ;

文宏玉 .

中国专利 :CN111430536B ,2020-07-17

[4]

新型二维异质结材料及其制备方法 [P].

柯福生 ;

刘晓晨 .

中国专利 :CN111153431A ,2020-05-15

[5]

一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

王慧敏 ;

陈亮 ;

陈诚 ;

赵阳 .

中国专利 :CN108807553B ,2018-11-13

[6]

一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用 [P].

杜纯 ;

杨子逸 ;

莫安珍 ;

段宣明 .

中国专利 :CN115385378A ,2022-11-25

[7]

一种二维材料异质结器件及其制备方法 [P].

林君浩 ;

杨其朔 ;

李沛岭 .

中国专利 :CN114361021B ,2025-10-10

[8]

二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法 [P].

王佩剑 ;

刘影 ;

潘宝俊 ;

蓝善贵 ;

俞滨 .

中国专利 :CN114411148A ,2022-04-29

[9]

一种二维材料异质结器件及其制备方法 [P].

林君浩 ;

杨其朔 ;

李沛岭 .

中国专利 :CN114361021A ,2022-04-15

[10]

一种二维异质结阵列器件及其制备方法 [P].

李东 ;

朱晨光 ;

朱小莉 ;

潘安练 .

中国专利 :CN113284889A ,2021-08-20

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