一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310174922.3

申请日：

2023-02-28

公开(公告)号：

CN116190436B

公开(公告)日：

2024-05-10

发明(设计)人：

张跃卫孝福张铮张先坤于慧慧高丽洪孟羽都娴

申请人：

北京科技大学

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01L29/76

IPC分类号：

H01L21/33 H01L29/06

代理机构：

北京盛询知识产权代理有限公司 11901

代理人：

郭成文

法律状态：

授权

国省代码：

辽宁省葫芦岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-10	授权	授权

共 50 条

[1]

反相器及其制备方法 [P].

江潮 ;

李默林 ;

王嘉玮 .

中国专利 :CN107768519A ,2018-03-06

[2]

一种新型二维同质结及其制备方法 [P].

侯鹏飞 ;

蔡传洋 ;

欧阳晓平 .

中国专利 :CN113782633A ,2021-12-10

[3]

一种输入电压可调谐的二维逻辑反相器及制备方法 [P].

张跃 ;

王利华 ;

张铮 ;

卫孝福 ;

张敬书 ;

陈匡磊 ;

高丽 ;

于慧慧 .

中国专利 :CN114937740A ,2022-08-23

[4]

一种基于二维AsP的各向异性CMOS反相器及其制备方法 [P].

杨圣雪 ;

符婷 .

中国专利 :CN120050999A ,2025-05-27

[5]

一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法 [P].

张跃 ;

杜君莉 ;

张铮 ;

柳柏杉 ;

高丽 ;

于慧慧 ;

温嘉玲 ;

汤文辉 ;

张先坤 ;

洪孟雨 ;

肖建坤 .

中国专利 :CN111245416B ,2020-06-05

[6]

一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

王慧敏 ;

陈亮 ;

陈诚 ;

赵阳 .

中国专利 :CN108807553B ,2018-11-13

[7]

磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用 [P].

魏钟鸣 ;

房景治 ;

黎博 ;

廖志敏 ;

杨珏晗 ;

魏大海 ;

宗易昕 ;

文宏玉 .

中国专利 :CN111430536B ,2020-07-17

[8]

垂直型二维沟道逻辑器件及其制备方法 [P].

刘金营 .

中国专利 :CN113948399A ,2022-01-18

[9]

一种CMOS反相器及其制备方法 [P].

韩江丽 ;

荣欣 ;

段炼 ;

董桂芳 .

中国专利 :CN115394801A ,2022-11-25

[10]

MOS器件、反相器及其制备方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN112086518A ,2020-12-15

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