一种输入电压可调谐的二维逻辑反相器及制备方法

被引：0

申请号：

CN202210283282.5

申请日：

2022-03-22

公开(公告)号：

CN114937740A

公开(公告)日：

2022-08-23

发明(设计)人：

张跃王利华张铮卫孝福张敬书陈匡磊高丽于慧慧

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5140

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

岳野

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	公开	公开
2022-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20220322

共 50 条

[1]

一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法 [P].

张跃 ;

卫孝福 ;

张铮 ;

张先坤 ;

于慧慧 ;

高丽 ;

洪孟羽 ;

都娴 .

中国专利 :CN116190436B ,2024-05-10

[2]

一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法 [P].

张跃 ;

王利华 ;

张铮 ;

张敬书 ;

卫孝福 ;

陈匡磊 ;

高丽 ;

于慧慧 .

中国专利 :CN114937741A ,2022-08-23

[3]

一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器 [P].

李俊鹏 ;

陈军飞 ;

王晗雪 ;

陈兴 ;

任泽阳 .

中国专利 :CN119767777A ,2025-04-04

[4]

一种基于二维AsP的各向异性CMOS反相器及其制备方法 [P].

杨圣雪 ;

符婷 .

中国专利 :CN120050999A ,2025-05-27

[5]

一种双层石墨烯逻辑反相器 [P].

韩拯 ;

杨凯宁 ;

王雅宁 ;

高翔 ;

张桐耀 ;

叶堉 ;

高宇辰 .

中国专利 :CN116405019B ,2025-05-02

[6]

一种CMOS反相器的制备方法 [P].

谢华飞 ;

陈书志 ;

李佳育 .

中国专利 :CN111128680A ,2020-05-08

[7]

一种CMOS反相器及其制备方法 [P].

韩江丽 ;

荣欣 ;

段炼 ;

董桂芳 .

中国专利 :CN115394801A ,2022-11-25

[8]

晶体管阈值电压调节方法及反相器制备方法 [P].

陆晓青 .

中国专利 :CN106783624A ,2017-05-31

[9]

一种GaN基反相器及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

杜方洲 ;

汪青 ;

文康尧 ;

蒋洋 ;

唐楚滢 ;

张一 ;

邓宸凯 .

中国专利 :CN117766580A ,2024-03-26

[10]

一种GaN基反相器及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

杜方洲 ;

汪青 ;

文康尧 ;

蒋洋 ;

唐楚滢 ;

张一 ;

邓宸凯 .

中国专利 :CN117766580B ,2025-10-03

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