一种FET微波噪声模型建立方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610617247.7
申请日
2016-07-29
公开(公告)号
CN106250622A
公开(公告)日
2016-12-21
发明(设计)人
陈勇波
申请人
申请人地址
610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
IPC主分类号
G06F1750
IPC分类号
代理机构
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223
代理人
徐丰;胡川
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种GaN HEMT非线性噪声模型建立方法 [P]. 
陈勇波 .
中国专利 :CN106372357B ,2017-02-01
[2]
一种GaN HEMT噪声模型建立方法 [P]. 
陈勇波 .
中国专利 :CN106294976A ,2017-01-04
[3]
毫米波FET的噪声模型建立方法 [P]. 
陈勇波 .
中国专利 :CN106055765B ,2016-10-26
[4]
一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法 [P]. 
吕红亮 ;
乔世兴 ;
李苗 ;
李少军 ;
武岳 ;
张玉明 .
中国专利 :CN110717240A ,2020-01-21
[5]
一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法 [P]. 
吕红亮 ;
乔世兴 ;
李少军 ;
武岳 ;
张玉明 .
中国专利 :CN110717242A ,2020-01-21
[6]
一种随偏置缩放的晶体管噪声模型建立方法 [P]. 
陈勇波 .
中国专利 :CN107609269A ,2018-01-19
[7]
电源噪声模型建立方法及其装置 [P]. 
晋兆国 .
中国专利 :CN101394453B ,2009-03-25
[8]
一种在片校准件模型建立方法 [P]. 
吴爱华 ;
霍晔 ;
王一帮 ;
梁法国 ;
栾鹏 ;
刘晨 ;
孙静 .
中国专利 :CN111781479B ,2020-10-16
[9]
一种GPS位置时间序列噪声模型建立方法 [P]. 
贺小星 ;
花向红 ;
姜卫平 ;
周晓慧 ;
宣伟 ;
李长春 ;
马飞虎 .
中国专利 :CN106772498A ,2017-05-31
[10]
模型建立方法 [P]. 
蔡孟修 ;
廖信雄 ;
蔡旻修 .
中国专利 :CN110362841A ,2019-10-22