一种随偏置缩放的晶体管噪声模型建立方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710818395.X

申请日：

2017-09-12

公开(公告)号：

CN107609269A

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

陈勇波

申请人：

申请人地址：

610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

徐丰;张巨箭

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F 17/50 申请公布日:20180119
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20170912
2018-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管射频宏模型建立方法 [P].

任铮 ;

吴华林 ;

胡少坚 ;

李曦 ;

石艳玲 .

中国专利 :CN101976293A ,2011-02-16

[2]

一种GaN HEMT非线性噪声模型建立方法 [P].

陈勇波 .

中国专利 :CN106372357B ,2017-02-01

[3]

射频晶体管射频参数模型建立方法 [P].

王伟 .

中国专利 :CN108304663B ,2018-07-20

[4]

建立场效晶体管噪声模型的方法 [P].

余泳 .

中国专利 :CN101957883A ,2011-01-26

[5]

一种FET微波噪声模型建立方法 [P].

陈勇波 .

中国专利 :CN106250622A ,2016-12-21

[6]

一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法及其应用 [P].

罗浩瑞 ;

郭健 ;

姚鸿 .

中国专利 :CN110704997A ,2020-01-17

[7]

基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法 [P].

蔡佳林 ;

刘博 .

中国专利 :CN115358090A ,2022-11-18

[8]

一种部分耗尽的SOI MOS晶体管的制备方法 [P].

张盛东 ;

李定宇 ;

陈文新 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN100527371C ,2008-03-05

[9]

一种有机半导体晶体管输出特性仿真模型的建立方法 [P].

孙启闰 ;

王振永 .

中国专利 :CN120087309A ,2025-06-03

[10]

一种GaN HEMT噪声模型建立方法 [P].

陈勇波 .

中国专利 :CN106294976A ,2017-01-04

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