MOS晶体管射频宏模型建立方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010535270.4

申请日：

2010-11-08

公开(公告)号：

CN101976293A

公开(公告)日：

2011-02-16

发明(设计)人：

任铮吴华林胡少坚李曦石艳玲

申请人：

申请人地址：

201210 上海市张江高斯路497号

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101517721824 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2010105352704 申请日:20101108
2016-06-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101733600085 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2010105352704 申请公布日:20110216
2011-02-16	公开	公开

共 50 条

[1]

射频晶体管射频参数模型建立方法 [P].

王伟 .

中国专利 :CN108304663B ,2018-07-20

[2]

MOS晶体管射频电路仿真宏模型及其参数提取方法 [P].

胡少坚 ;

任铮 .

中国专利 :CN101169800A ,2008-04-30

[3]

高压MOS晶体管电路仿真宏模型 [P].

任铮 ;

胡少坚 .

中国专利 :CN101110092B ,2008-01-23

[4]

MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法 [P].

周天舒 ;

武洁 .

中国专利 :CN101739470A ,2010-06-16

[5]

一种随偏置缩放的晶体管噪声模型建立方法 [P].

陈勇波 .

中国专利 :CN107609269A ,2018-01-19

[6]

基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法 [P].

蔡佳林 ;

刘博 .

中国专利 :CN115358090A ,2022-11-18

[7]

MOS晶体管以及制造MOS晶体管的方法 [P].

斯蒂芬·约·塞西尔·亨利·特厄乌文 ;

约翰内斯·阿德里安努斯·马里亚·德博特 ;

约斯·克拉佩 .

中国专利 :CN101326643B ,2008-12-17

[8]

MOS晶体管 [P].

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN207217541U ,2018-04-10

[9]

MOS晶体管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN206003781U ,2017-03-08

[10]

MOS晶体管 [P].

郑仲馗 ;

尹彬锋 .

中国专利 :CN114334954A ,2022-04-12

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