MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810043918.9

申请日：

2008-11-11

公开(公告)号：

CN101739470A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

周天舒武洁

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	授权	授权
2010-06-16	公开	公开
2014-01-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101685129193 IPC(主分类):G06F 17/50 专利号:ZL2008100439189 变更事项:专利权人变更前:上海华虹NEC电子有限公司变更后:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005270442 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2008100439189 申请日:20081111

共 50 条

[1]

MOS晶体管射频宏模型建立方法 [P].

任铮 ;

吴华林 ;

胡少坚 ;

李曦 ;

石艳玲 .

中国专利 :CN101976293A ,2011-02-16

[2]

MOS晶体管的器件失配的修正方法 [P].

周天舒 ;

王正楠 .

中国专利 :CN102385646A ,2012-03-21

[3]

MOS晶体管以及制造MOS晶体管的方法 [P].

斯蒂芬·约·塞西尔·亨利·特厄乌文 ;

约翰内斯·阿德里安努斯·马里亚·德博特 ;

约斯·克拉佩 .

中国专利 :CN101326643B ,2008-12-17

[4]

MOS晶体管失配模型的建模方法 [P].

武思凤 .

中国专利 :CN115600536A ,2023-01-13

[5]

MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105529265A ,2016-04-27

[6]

MOS晶体管电学统计模型的快速建模方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN101196936B ,2008-06-11

[7]

提取MOS晶体管应力效应模型参数的方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN101739469A ,2010-06-16

[8]

典型MOS晶体管噪声模型的建模方法 [P].

路向党 .

中国专利 :CN101650755A ,2010-02-17

[9]

MOS晶体管器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103579308A ,2014-02-12

[10]

MOS晶体管PSP失配模型的建模方法 [P].

石艳玲 ;

周卉 ;

李曦 ;

孙立杰 ;

任铮 ;

胡少坚 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN102968538A ,2013-03-13

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