一种功率半导体芯片电极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011386489.2

申请日：

2020-12-02

公开(公告)号：

CN112510002A

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

郑裕玲周琦王亚宁

申请人：

申请人地址：

710077 陕西省西安市高新区鱼化街道办鱼斗路18号科技楼3层

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23367 H01L23373

代理机构：

西安吉盛专利代理有限责任公司 61108

代理人：

张驰

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-27	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 23/48 申请公布日:20210316
2021-03-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种功率半导体芯片电极结构 [P].

郑裕玲 ;

周琦 ;

王亚宁 .

中国专利 :CN213936178U ,2021-08-10

[2]

一种功率半导体芯片电极结构 [P].

王民安 ;

黄富强 ;

王日新 ;

汪杏娟 ;

叶民强 ;

项建辉 .

中国专利 :CN203415580U ,2014-01-29

[3]

一种功率半导体芯片的微动电极 [P].

王民安 ;

汪杏娟 ;

郑春鸣 ;

叶民强 ;

汪继军 ;

王日新 .

中国专利 :CN206961820U ,2018-02-02

[4]

一种功率半导体芯片封装结构 [P].

王亮 ;

周扬 ;

代安琪 ;

韩荣刚 ;

林仲康 ;

唐新灵 .

中国专利 :CN114220796B ,2025-05-02

[5]

一种功率半导体芯片封装结构 [P].

王亮 ;

周扬 ;

代安琪 ;

韩荣刚 ;

林仲康 ;

唐新灵 .

中国专利 :CN114220796A ,2022-03-22

[6]

功率半导体芯片 [P].

戴立新 ;

冯立康 ;

戴薇 ;

方明 ;

朱计生 ;

戴劲 .

中国专利 :CN307370120S ,2022-05-27

[7]

功率半导体芯片 [P].

晋虎 ;

万欣 ;

李豪 ;

高良 ;

孙永生 ;

杨春益 ;

吴善龙 .

中国专利 :CN207367972U ,2018-05-15

[8]

功率半导体芯片及功率半导体器件 [P].

W·M·舒尔茨 .

中国专利 :CN206282846U ,2017-06-27

[9]

功率半导体器件和功率半导体芯片 [P].

李珠焕 .

韩国专利 :CN113745322B ,2025-02-07

[10]

功率半导体器件和功率半导体芯片 [P].

李珠焕 .

中国专利 :CN113745322A ,2021-12-03

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