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一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法

被引：0
申请号：
CN202210662844.7
申请日：
2022-06-13
公开(公告)号：
CN115000230A
公开(公告)日：
2022-09-02
发明(设计)人：
李国辉 胡鲲 潘登 翟爱平 王文艳 田媛 崔艳霞 许并社
申请人：
申请人地址：
030024 山西省太原市迎泽西大街79号
IPC主分类号：
H01L31102
IPC分类号：
H01L310312 H01L310216 H01L310224 H01L3118
代理机构：
太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110
代理人：
赵江艳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-02 公开 公开
2022-09-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/102 申请日:20220613
共 50 条
[1]
一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 [P]. 
李国辉 ;
胡鲲 ;
潘登 ;
翟爱平 ;
王文艳 ;
田媛 ;
崔艳霞 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000230B ,2024-03-22
[2]
一种PS纳米球辅助的4H-SiC基热载流子型光电探测器及制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
李梦辉 ;
胡鲲 ;
王文艳 ;
潘登 ;
李国辉 ;
翟爱平 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000231A ,2022-09-02
[3]
一种PS纳米球辅助的4H-SiC基热载流子型光电探测器及制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
李梦辉 ;
胡鲲 ;
王文艳 ;
潘登 ;
李国辉 ;
翟爱平 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000231B ,2024-07-16
[4]
一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P]. 
崔艳霞 ;
胡鲲 ;
朱石磊 ;
李国辉 ;
潘登 ;
田媛 .
中国专利 :CN115000207B ,2024-05-31
[5]
一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P]. 
崔艳霞 ;
胡鲲 ;
朱石磊 ;
李国辉 ;
潘登 ;
田媛 .
中国专利 :CN115000207A ,2022-09-02
[6]
一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
李国辉 ;
王文艳 .
中国专利 :CN114937710A ,2022-08-23
[7]
一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
李国辉 ;
王文艳 .
中国专利 :CN114937710B ,2024-07-23
[8]
一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
潘登 ;
李国辉 ;
李梦辉 ;
梁强兵 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN114944439A ,2022-08-26
[9]
δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
吴正云 ;
陈厦平 ;
朱会丽 ;
卢嵩岳 ;
李凌 .
中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18
[10]
一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
潘登 ;
李国辉 ;
李梦辉 ;
梁强兵 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN114944439B ,2024-07-16
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