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一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210681937.4
申请日：
2022-06-16
公开(公告)号：
CN114937710B
公开(公告)日：
2024-07-23
发明(设计)人：
崔艳霞 樊亚萍 李国辉 王文艳
申请人：
太原理工大学
申请人地址：
030024 山西省太原市迎泽西大街79号
IPC主分类号：
H01L31/0224
IPC分类号：
H01L31/0312 H01L31/0352 H01L31/112 H01L31/18
代理机构：
太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110
代理人：
赵江艳
法律状态：
授权
国省代码：
山西省 晋中市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-07-23 授权 授权
共 50 条
[1]
一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
李国辉 ;
王文艳 .
中国专利 :CN114937710A ,2022-08-23
[2]
一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
潘登 ;
李国辉 ;
李梦辉 ;
梁强兵 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN114944439A ,2022-08-26
[3]
一种晶体管型4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
樊亚萍 ;
潘登 ;
李国辉 ;
李梦辉 ;
梁强兵 ;
田媛 ;
许并社 .
中国专利 :CN114944439B ,2024-07-16
[4]
一种极高增益4H-SiC基宽谱光电晶体管及其制备方法 [P]. 
杨苗苗 ;
樊亚萍 ;
崔艳霞 ;
潘登 ;
李国辉 ;
冀婷 .
中国专利 :CN115000197A ,2022-09-02
[5]
一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 [P]. 
李国辉 ;
胡鲲 ;
潘登 ;
翟爱平 ;
王文艳 ;
田媛 ;
崔艳霞 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000230B ,2024-03-22
[6]
一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 [P]. 
李国辉 ;
胡鲲 ;
潘登 ;
翟爱平 ;
王文艳 ;
田媛 ;
崔艳霞 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000230A ,2022-09-02
[7]
一种具有超构表面的等离激元增强4H-SiC MSM紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
张明昆 ;
洪荣墩 ;
张峰 ;
吴正云 .
中国专利 :CN115172476B ,2025-11-25
[8]
近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器 [P]. 
安慧敏 ;
陈鹏 ;
丰建波 ;
潘传真 ;
谢自力 ;
修向前 ;
陈敦军 ;
刘斌 ;
赵红 ;
张荣 ;
郑有炓 .
中国专利 :CN114914316A ,2022-08-16
[9]
δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P]. 
吴正云 ;
陈厦平 ;
朱会丽 ;
卢嵩岳 ;
李凌 .
中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18
[10]
一种PS纳米球辅助的4H-SiC基热载流子型光电探测器及制备方法 [P]. 
崔艳霞 ;
李梦辉 ;
胡鲲 ;
王文艳 ;
潘登 ;
李国辉 ;
翟爱平 ;
许并社 .
中国专利 :CN115000231A ,2022-09-02
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