一种极高增益4H-SiC基宽谱光电晶体管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210686413.4

申请日：

2022-06-17

公开(公告)号：

CN115000197A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

杨苗苗樊亚萍崔艳霞潘登李国辉冀婷

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L310312 H01L31112 H01L3118

代理机构：

太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110

代理人：

赵江艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20220617
2022-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

光电晶体管及其制备方法 [P].

顾鹏飞 ;

段正 ;

刘凤娟 ;

郭康 ;

袁广才 .

中国专利 :CN117810289A ,2024-04-02

[2]

光电晶体管及其制备方法、光电探测器件 [P].

朱锐 ;

梅增霞 .

中国专利 :CN119230644A ,2024-12-31

[3]

基于预氧化处理技术的4H-SiC场效应光电晶体管及制备方法 [P].

田鸿昌 ;

杜丰羽 ;

宋庆文 ;

袁昊 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN114678441A ,2022-06-28

[4]

一种有机光电晶体管及其制备方法 [P].

许韫琪 ;

李蒙蒙 ;

李泠 ;

刘明 .

中国专利 :CN118055666A ,2024-05-17

[5]

一种高探测率宽谱响应的光电晶体管及其制备方法 [P].

刘璐 ;

蒋伟超 .

中国专利 :CN117913176B ,2024-08-23

[6]

一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 [P].

崔艳霞 ;

樊亚萍 ;

李国辉 ;

王文艳 .

中国专利 :CN114937710A ,2022-08-23

[7]

一种高探测率宽谱响应的光电晶体管及其制备方法 [P].

刘璐 ;

蒋伟超 .

中国专利 :CN117913176A ,2024-04-19

[8]

一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 [P].

崔艳霞 ;

樊亚萍 ;

李国辉 ;

王文艳 .

中国专利 :CN114937710B ,2024-07-23

[9]

高灵敏全日盲非晶氧化铟镓基光电晶体管及其制备方法 [P].

钱凌轩 ;

程凌云 ;

张万里 .

中国专利 :CN118248768A ,2024-06-25

[10]

一种有机光电晶体管及其制备方法 [P].

许宗祥 ;

许家驹 ;

胡启锟 .

中国专利 :CN108807684A ,2018-11-13

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