一种极高增益4H-SiC基宽谱光电晶体管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210686413.4

申请日：

2022-06-17

公开(公告)号：

CN115000197A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

杨苗苗樊亚萍崔艳霞潘登李国辉冀婷

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L310312 H01L31112 H01L3118

代理机构：

太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110

代理人：

赵江艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20220617
2022-09-02	公开	公开

共 50 条

[21]

一种双电容光电晶体管及其制作方法 [P].

冯顺 ;

韩如月 ;

刘驰 ;

孙东明 ;

成会明 .

中国专利 :CN117913169A ,2024-04-19

[22]

一种柔性硅基光电晶体管及其制备方法 [P].

王逸统 ;

彭文博 ;

朱权喆 ;

李阳善 ;

田红阳 .

中国专利 :CN119730449A ,2025-03-28

[23]

一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 [P].

李国辉 ;

胡鲲 ;

潘登 ;

翟爱平 ;

王文艳 ;

田媛 ;

崔艳霞 ;

许并社 .

中国专利 :CN115000230B ,2024-03-22

[24]

一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法 [P].

李国辉 ;

胡鲲 ;

潘登 ;

翟爱平 ;

王文艳 ;

田媛 ;

崔艳霞 ;

许并社 .

中国专利 :CN115000230A ,2022-09-02

[25]

一种薄膜光电晶体管及其制备方法 [P].

田犁 ;

孟令雪 ;

郭林海 ;

李春雷 ;

岳航宇 ;

陈翔 ;

万一民 .

中国专利 :CN119767839A ,2025-04-04

[26]

光电晶体管及其制作方法 [P].

柯秋坛 .

中国专利 :CN111883598A ,2020-11-03

[27]

一种钙钛矿薄膜光电晶体管及其制备方法 [P].

周航 ;

杜嵩楠 ;

王琰 .

中国专利 :CN106129257A ,2016-11-16

[28]

一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法 [P].

周航 ;

许晓特 ;

张盛东 .

中国专利 :CN108023019B ,2024-01-02

[29]

一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法 [P].

周航 ;

许晓特 ;

张盛东 .

中国专利 :CN108023019A ,2018-05-11

[30]

波导型GeSn光电晶体管及其制造方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

王庆 ;

王书晓 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110890436B ,2020-03-17

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