近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器

被引：0

申请号：

CN202210559835.5

申请日：

2022-05-23

公开(公告)号：

CN114914316A

公开(公告)日：

2022-08-16

发明(设计)人：

安慧敏陈鹏丰建波潘传真谢自力修向前陈敦军刘斌赵红张荣郑有炓

申请人：

申请人地址：

210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01L310304

IPC分类号：

H01L310352 H01L31112

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-16	公开	公开
2022-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20220523

共 50 条

[1]

等离激元增强型探测器及其制作方法 [P].

黄增立 ;

许蕾蕾 ;

葛啸天 ;

张珽 .

中国专利 :CN119230642A ,2024-12-31

[2]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

韦维克 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN108122968B ,2018-06-05

[3]

增强型高电子迁移率晶体管结构 [P].

黄彦纶 ;

孙健仁 ;

李依晴 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106486544A ,2017-03-08

[4]

一种等离激元增强的可见近红外光电探测器 [P].

钱浩亮 ;

郜冰涛 ;

张译匀 .

中国专利 :CN117438477A ,2024-01-23

[5]

增强型高电子迁移率晶体管器件 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112397583A ,2021-02-23

[6]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112397584A ,2021-02-23

[7]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

蔡镕泽 ;

林恒光 .

中国专利 :CN109979999A ,2019-07-05

[8]

p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法 [P].

张韵 ;

杨秀霞 ;

张连 .

中国专利 :CN111446296A ,2020-07-24

[9]

一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 [P].

崔艳霞 ;

樊亚萍 ;

李国辉 ;

王文艳 .

中国专利 :CN114937710A ,2022-08-23

[10]

一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 [P].

崔艳霞 ;

樊亚萍 ;

李国辉 ;

王文艳 .

中国专利 :CN114937710B ,2024-07-23

← 1 2 3 4 5 →